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IRL3302STRR 发布时间 时间:2025/6/24 15:53:04 查看 阅读:23

IRL3302STRR是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,适合用于各种需要高效开关和低导通电阻的应用场景。这款MOSFET以其优异的电气特性和可靠性而闻名,适用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域的电源管理与信号切换。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:16A
  栅极阈值电压:1.5V
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):9mΩ
  总栅极电荷:14nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IRL3302STRR具有较低的导通电阻,这使得其在高电流应用中能够有效减少功率损耗并提升效率。
  该器件具备快速的开关性能,可满足高频工作的需求。
  其坚固的结构设计和较宽的工作温度范围使其非常适合于严苛环境下的应用。
  此外,由于采用了逻辑电平驱动技术,IRL3302STRR可以与较低电压的控制器或微处理器直接配合使用,简化了电路设计。

应用

该MOSFET广泛应用于直流电机驱动、开关电源(如反激式、降压式转换器)、负载切换、电池保护、音频放大器以及其他需要高性能功率开关的场合。此外,它还常见于LED驱动器和太阳能逆变器等新能源相关设备中。

替代型号

IRLB8721, IRLZ44N

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IRL3302STRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)