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IRL3302SPBF 发布时间 时间:2025/7/11 17:17:16 查看 阅读:7

IRL3302SPBF是Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用SO-8封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能开关应用。其设计旨在减少传导损耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻:7.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:1.6W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

IRL3302SPBF具有非常低的导通电阻,这使其成为高效功率转换的理想选择。此外,它具备快速开关能力,可以降低开关损耗。
  该器件的栅极电荷较低,有助于提升开关速度,并且支持高频操作。同时,其出色的热稳定性确保了在高温环境下仍能保持可靠的性能表现。
  由于采用了SO-8封装,IRL3302SPBF还具有良好的散热特性和较高的机械强度。

应用

IRL3302SPBF广泛应用于直流电机驱动、电源管理电路、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。它也常被用作同步整流器或负载开关,在需要高效功率传输的场合表现出色。
  此外,该器件还可用于消费类电子产品中的电池充电管理和保护电路,例如笔记本电脑适配器或智能手机快充方案。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDP5500

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IRL3302SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3302SPBF