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IRL3103STRL 发布时间 时间:2025/5/13 8:52:36 查看 阅读:13

IRL3103STRL是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用逻辑电平驱动设计,允许使用较低的栅极驱动电压来开启和关断。这种特性使其非常适合用于低压应用场合,例如电池供电设备、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等。IRL3103STRL采用了TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的散热性能和较小的安装空间需求。
  这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关速度而著称,能够在高效率和高频应用中提供卓越的性能表现。

参数

最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大连续漏电流Id:87A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷Qg:19nC
  开关时间:ton=14ns,toff=18ns
  结温范围Tj:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用环境。
  3. 逻辑电平驱动能力,支持低至4.5V的栅极驱动电压。
  4. 高浪涌电流能力,能够承受短暂的过载情况。
  5. 采用标准TO-252封装,便于表面贴装工艺。
  6. 宽泛的工作温度范围,适用于各种工业及消费类电子场景。
  7. 符合RoHS环保标准,满足现代绿色电子产品要求。

应用

1. 开关电源(Switching Power Supplies)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关管。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 小型电机驱动电路中的功率输出级。
  5. 汽车电子系统中的负载控制。
  6. 各种便携式设备中的功率管理模块。
  7. 负载切换和保护电路中的关键组件。

替代型号

IRLZ44N, IRL540N, FDP5500, AO3400A

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IRL3103STRL产品

IRL3103STRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1650pF @ 25V
  • 功率 - 最大94W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)