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IRL3103D1S 发布时间 时间:2025/5/27 16:32:10 查看 阅读:13

IRL3103D1S 是一款 N 沯道逻辑电平增强型功率 MOSFET,由 Vishay 公司生产。这款 MOSFET 主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  该器件采用小型化的封装技术,适合高密度电路设计,并且具备出色的热性能,能够在较宽的温度范围内稳定工作。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:62A
  导通电阻 (Rds(on)):3.8mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:7nC
  输入电容:1520pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRL3103D1S 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,确保在大电流应用中降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
  3. 小型化封装,节省 PCB 空间,支持高密度设计。
  4. 高温稳定性,能够在极端温度环境下保持性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  6. 支持逻辑电平驱动,可以直接与标准 CMOS 或 TTL 输出接口连接,无需额外的驱动电路。

应用

IRL3103D1S 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
  3. 电机驱动控制,例如无刷直流电机(BLDC)的逆变桥。
  4. 各类负载开关,用于动态控制电流流动。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  其高效的性能和可靠性使其成为众多工业、消费电子及汽车应用的理想选择。

替代型号

IRL3103PBF, IRL3103TRPBF

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IRL3103D1S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3103D1S