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IRL2203NPBF 发布时间 时间:2025/7/12 15:56:00 查看 阅读:13

IRL2203NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种功率转换应用。其封装形式为SO-8,能够满足紧凑设计的需求。这种MOSFET适合在需要高效能和低损耗的电路中使用,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池保护电路等。
  该器件采用逻辑电平驱动设计,栅极阈值电压较低,可直接与微控制器或数字逻辑电路接口,简化了驱动电路的设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:16nC
  总电容:2220pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRL2203NPBF 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中减少功耗。
  2. 高开关速度,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,使得它非常适合高频开关应用。
  3. 较低的栅极驱动电压要求,支持逻辑电平驱动,便于与常见的数字控制电路配合使用。
  4. 良好的热性能,在高功率密度应用中表现优异。
  5. 封装形式为标准SO-8,易于安装和焊接,同时提供良好的散热能力。
  6. 宽广的工作温度范围,使其能够在极端环境下稳定运行。

应用

IRL2203NPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
  4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  5. 各种电池保护电路和负载开关应用。
  6. LED驱动和背光调节电路。

替代型号

IRLZ44N, IRLB8721PBF

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IRL2203NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C116A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3290pF @ 25V
  • 功率 - 最大180W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL2203NPBF