您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRL1404

IRL1404 发布时间 时间:2025/12/26 18:23:59 查看 阅读:17

IRL1404是一款由英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道功率MOSFET,广泛应用于高电流开关场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术,旨在提供极低的导通电阻(RDS(on)),从而降低导通损耗,提高系统效率。IRL1404特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理应用,如DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备以及各类电源开关电路。其封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于在各种散热条件下安装使用。该MOSFET经过优化,可在低门极驱动电压下工作,支持3.3V或5V逻辑电平直接驱动,使其非常适合现代低电压控制系统集成。此外,IRL1404具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下持续运行,满足工业级应用要求。

参数

型号:IRL1404
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):40V
  最大连续漏极电流(ID):162A(在TC=25°C时)
  最大脉冲漏极电流(IDM):650A
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):4.8mΩ(在VGS=10V时)
  导通电阻(RDS(on)):6.3mΩ(在VGS=4.5V时)
  阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.0V
  输入电容(Ciss):约3000pF(在VDS=20V时)
  输出电容(Coss):约950pF
  反向恢复时间(trr):约35ns
  二极管正向压降(VSD):1.2V(典型值)
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK

特性

IRL1404的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流承载能力的结合,这使得它在大电流开关应用中表现出色。其RDS(on)在VGS=10V时仅为4.8mΩ,在VGS=4.5V时也仅6.3mΩ,这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了整体能效,尤其适合用于电池供电系统或对热管理要求严格的场景。器件采用先进的沟槽栅极工艺,不仅优化了导通性能,还增强了跨导和开关速度,实现了快速的上升和下降时间,有助于减少开关损耗。此外,较低的栅极电荷(Qg)和输入电容意味着驱动电路所需的能量更少,进一步提高了系统的动态响应能力和效率。
  IRL1404具备良好的热稳定性,其最大工作结温可达+175°C,确保在高负载或高温环境下仍能安全运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间(约35ns),减少了在感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰,提升了系统的可靠性。该器件还具备较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下承受一定的能量冲击,增强了鲁棒性。TO-220和D2PAK等标准封装形式提供了良好的散热路径,便于通过散热片或PCB铜箔进行热管理,适用于多种安装方式。此外,IRL1404符合RoHS环保标准,不含铅和有害物质,适用于工业、汽车和消费类电子等多种领域。其高性价比和成熟的技术使其成为许多电源设计工程师的首选器件之一。

应用

IRL1404广泛应用于多种高效率、高电流的电力电子系统中。常见应用场景包括直流电机控制,特别是在电动工具、电动车和工业自动化设备中,作为H桥驱动电路中的主开关元件,实现双向转速调节。在同步整流型DC-DC转换器中,IRL1404因其低RDS(on)特性可显著提升转换效率,尤其是在低压大电流输出(如5V转3.3V或更低)的应用中表现优异。它也被广泛用于开关电源(SMPS)、UPS不间断电源系统、逆变器以及电池管理系统(BMS)中的充放电控制回路。
  在便携式设备和嵌入式系统中,IRL1404可用于电源路径管理,例如在多电源输入(如USB、适配器、电池)之间进行自动切换。由于其支持低电压驱动(4.5V或3.3V逻辑兼容),可直接由微控制器或PWM控制器驱动,无需额外的电平转换或驱动芯片,简化了电路设计。此外,在太阳能充电控制器、LED驱动电源和家用电器的功率控制模块中也有广泛应用。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于部分汽车电子应用,如车载电机驱动或辅助电源系统。总之,凡是需要高效、大电流、低损耗开关功能的场合,IRL1404都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

IRL3803
  IRF1404
  IRLB8743
  SI4120DY
  FDP6670

IRL1404推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRL1404资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载