IRKT56-14 时间：2025/12/26 20:38:59 阅读：10

IRKT56-14是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能功率MOSFET器件，采用先进的沟槽栅技术制造，专为高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业控制等应用设计。该器件属于OptiMOS?系列的一部分，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。IRKT56-14的额定电压为140V，适用于中压功率转换场景，在高温工作环境下仍能保持稳定性能。其封装形式为TO-220AB，具备良好的热传导能力，适合需要高功率密度和可靠散热的应用场合。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全认证，确保在工业级温度范围内的长期可靠性。由于采用了先进的封装与芯片工艺，IRKT56-14在硬开关和高频软开关拓扑中均表现出优异的动态响应能力，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

参数

型号：IRKT56-14
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：140V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：87A
　　脉冲漏极电流（IDM）：348A
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS=10V：10mΩ 最大值
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V：13mΩ 最大值
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：4320pF 典型值
　　输出电容（Coss）：900pF 典型值
　　反向恢复时间（trr）：37ns 典型值
　　最大功耗（Ptot）：200W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

IRKT56-14采用Infineon独有的OptiMOS?沟槽栅硅技术，这种技术通过对晶圆表面的精细蚀刻和掺杂控制，实现了更低的单位面积导通电阻，同时提升了载流子迁移率。相比传统平面型MOSFET，沟槽结构能够在相同芯片尺寸下提供更高的通道密度，从而显著降低RDS(on)，减少导通期间的能量损耗。这对于高电流应用尤其重要，例如服务器电源、电信整流器或电动汽车车载充电模块，其中即使几毫欧的电阻差异也会对整体效率产生显著影响。
　　该器件在动态特性方面也表现出色，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这使得它在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于降低控制器的负担并提高系统的开关频率上限。低Qgd（栅漏电荷）还意味着更强的抗dv/dt干扰能力，减少了误触发的风险，提高了电路稳定性。此外，其快速的体二极管反向恢复特性进一步降低了开关过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有利于简化外围缓冲电路设计。
　　IRKT56-14的TO-220AB封装不仅具备优良的机械强度和电气绝缘性能，还能通过散热片有效传导热量，确保长时间高负载运行下的热稳定性。该器件经过严格的质量测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和湿度敏感度等级评估，确保在恶劣工业环境中的长期可靠性。其宽泛的工作结温范围（最高可达+175°C）使其适用于高温应用场景，如靠近发动机舱或密闭电源模块内部。此外，器件内部无铅焊接工艺和符合RoHS指令的设计，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

应用

IRKT56-14广泛应用于多种中高压功率转换系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，常用于LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和同步整流拓扑中作为主开关或整流器件，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高能效转换。在DC-DC变换器中，尤其是在48V转12V或多相降压架构中，多个IRKT56-14可并联使用以承载大电流，同时保持较低温升。
　　在电机驱动应用中，该器件可用于工业伺服驱动器、电动工具和家用电器中的H桥或三相逆变电路，提供快速响应和高效率的功率切换能力。其高电流处理能力和耐冲击性能使其能够应对电机启动时的大电流浪涌。此外，在太阳能微型逆变器、储能系统和UPS不间断电源中，IRKT56-14也被用作关键的功率开关元件，支持双向能量流动和高效能量管理。
　　由于其出色的热性能和可靠性，该器件同样适用于汽车电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源单元。在这些应用中，器件必须承受剧烈的温度变化和振动环境，而IRKT56-14的坚固结构和高质量封装确保了长期稳定运行。此外，它还可用于工业照明、LED驱动电源以及各种高功率适配器设计中，成为现代高效、紧凑型电源解决方案的核心组件。