类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：70A
　　脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：2.2mΩ
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：3.1mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：65nC
　　输入电容（Ciss）：3900pF
　　输出电容（Coss）：920pF
　　反向恢复时间（trr）：22ns
　　二极管正向电压（Vf）：0.98V
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TSDSON-8

IRKT56-08采用了英飞凌先进的OptiMOS?沟槽栅极工艺，这种技术显著降低了器件的导通电阻Rds(on)，同时优化了栅极电荷与输出电容之间的平衡，从而实现了极低的导通损耗和开关损耗。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为2.2mΩ，即便在较低驱动电压4.5V下也能保持3.1mΩ的低阻值，这使得它能够在高电流密度条件下依然维持高效的能量转换效率。该器件具有非常低的栅极电荷（Qg=65nC），有助于减少驱动电路的能量消耗并提升整体系统效率，尤其是在高频开关应用中表现尤为突出。此外，其较低的输出电容（Coss=920pF）和快速的反向恢复时间（trr=22ns）有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提高了系统的稳定性与可靠性。
　　TSDSON-8封装设计极大地提升了散热性能，底部裸露焊盘可以直接连接到PCB上的热焊盘，实现高效的热量传导，从而延长器件寿命并支持更高的持续工作电流。该封装还具备优异的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。器件的工作结温高达+175°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于严苛工况下的工业和汽车应用。集成的体二极管具有较低的正向压降（0.98V），可有效降低续流过程中的功耗，尤其在同步整流拓扑中发挥重要作用。
　　IRKT56-08通过AEC-Q101认证，意味着其在温度循环、高温反偏、高压应力测试等方面均满足汽车行业严格的质量与可靠性要求，因此可用于车载DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）或车载充电机等关键部件。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和dV/dt耐受性，能够在瞬态过压或短路情况下保持稳定运行，避免意外失效。总体而言，IRKT56-08凭借其卓越的电学性能、紧凑封装和高可靠性，成为高性能电源设计中的优选方案。

IRKT56-08广泛应用于各类高效率电源系统中，特别是在需要大电流、低损耗和高功率密度的场合。典型应用场景包括服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块），其中多个MOSFET并联工作以提供数百安培的负载电流，而IRKT56-08的低Rds(on)和高电流能力使其成为理想的上管或下管选择。在通信电源和基站整流器中，该器件用于隔离式或非隔离式DC-DC变换器，如半桥、全桥或LLC谐振转换器，能够显著提高能效并减少散热需求。
　　在电动汽车和混合动力汽车领域，IRKT56-08可用于车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压转换器以及辅助电源系统。其车规级认证和宽温域工作能力确保了在复杂电磁环境和剧烈温度变化下的长期可靠运行。此外，在工业电机驱动、伺服控制系统和UPS不间断电源中，该器件常被用作功率开关元件，执行PWM调制控制，实现精确的电机转速与扭矩调节。
　　消费类高端电子产品如游戏主机、高性能笔记本电脑电源模块也开始采用此类高性能MOSFET来应对日益增长的功耗管理挑战。太阳能逆变器和储能系统中的MPPT控制器也受益于IRKT56-08的高效特性，可在部分负载和满载条件下均保持较高的转换效率。由于其封装小巧且热性能优越，特别适合使用多层高密度PCB布局的设计，有利于缩小整体电源体积，提升系统集成度。

IRLR56-08PbF
　　BSC050N04LS