型号：IRKT56/08
　　制造商：Infineon Technologies
　　封装类型：TSDSON-8
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压Vds：30V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：17A
　　脉冲漏极电流Idm：70A
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：6.3mΩ
　　阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：1150pF
　　输出电容Coss：390pF
　　反向传输电容Crss：65pF
　　栅极电荷Qg（typ @ Vds=15V, Id=8.5A）：17nC
　　上升时间tr：10ns
　　下降时间tf：12ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻Rth(j-c)：1.7 K/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）

IRKT56/08具备卓越的电气性能和热管理能力，其核心特性之一是极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时最大仅为4.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这一特性使其特别适用于大电流、低电压输出的DC-DC转换器中作为同步整流或主开关使用。此外，该器件在Vgs=4.5V下仍能保持较低的Rds(on)（6.3mΩ），表明其具有良好的低压驱动兼容性，可适配多种控制器和驱动IC，尤其适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　另一个关键特性是其优化的封装设计——TSDSON-8。该封装不仅体积小巧（典型尺寸约3mm x 3mm），还通过底部裸露焊盘实现了高效的热传导路径，从而将结到外壳的热阻降低至仅1.7K/W。这种设计使得器件即使在高功率密度条件下也能有效散热，避免因过热导致性能下降或失效。同时，TSDSON-8封装支持自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。
　　IRKT56/08还具备出色的开关特性。其输入电容Ciss为1150pF，反向传输电容Crss为65pF，配合较低的栅极电荷Qg（典型值17nC），确保了快速的开关响应和较小的驱动功耗。这有助于减少开关过程中的能量损耗，特别是在高频开关应用中表现突出。此外，该器件具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了对电压瞬变的耐受能力，提高了系统的可靠性。
　　从可靠性角度看，IRKT56/08经过严格的质量认证，具备高雪崩能量承受能力，能够在异常工况下（如电感放电或短路）维持结构完整性。其栅氧层设计也经过优化，可承受反复的电压应力而不发生退化，延长了使用寿命。工作结温范围达-55°C至+150°C，使其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用需求。

IRKT56/08广泛应用于需要高效能、小尺寸和良好热性能的电源管理系统中。一个典型应用是在同步降压变换器中作为低边MOSFET使用，利用其低Rds(on)和快速开关特性来提升转换效率并减少发热。该器件同样适用于多相VRM（电压调节模块）设计，常见于CPU或GPU供电电路中，满足高性能计算平台对动态响应和能效的严苛要求。
　　在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，IRKT56/08可用于电池管理系统的充放电控制回路或负载开关，凭借其小封装和低静态损耗优势，有助于延长电池续航时间并节省PCB空间。此外，在LED驱动电路中，该器件可用作恒流源的开关元件，实现精确调光和高效能量转换。
　　工业领域中，IRKT56/08常被用于电机驱动、PLC数字输出模块及传感器供电单元等场景。其高抗扰能力和宽温工作范围确保了在复杂电磁环境和恶劣温度条件下的稳定运行。在电信和网络设备中，它也被用于中间总线转换器（IBC）和点负载转换器（POL），为FPGA、ASIC等芯片提供干净稳定的电源轨。
　　由于其符合环保标准并支持无铅焊接，IRKT56/08也适用于各类绿色电子产品和出口型设备的设计。无论是消费类、工业类还是通信类产品，只要涉及中等功率级别的直流开关控制，IRKT56/08都是一个可靠且高效的选择。

IRLHS56/08PbF
　　BSC059N03LS G