IRKT41/08 时间：2025/12/26 20:37:36 阅读：19

IRKT41/08是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件封装在PG-HSOF-8（亦称HSOF-8或PowerSO-8）的小型表面贴装封装中，具备优良的热性能和电气性能，适用于需要紧凑布局和高效能表现的现代电子设备。IRKT41/08特别适合用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等场合。其低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现出色，有助于降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，该MOSFET具有良好的雪崩耐受能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了在恶劣工作环境下的可靠性和耐用性。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。

参数

型号：IRKT41/08
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：20A
　　脉冲漏极电流(IDM)：80A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：5.3mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：6.7mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：25nC
　　输入电容(Ciss)：1200pF
　　输出电容(Coss)：490pF
　　反向恢复时间(trr)：24ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
　　封装类型：PG-HSOF-8（PowerSO-8）
　　安装方式：表面贴装(SMD)

特性

IRKT41/08的核心优势在于其基于英飞凌成熟TrenchMOS技术的先进沟槽结构设计，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来显著增加单位面积内的有效沟道数量，从而大幅降低导通电阻RDS(on)，实现更低的导通损耗。在VGS=10V条件下，其典型RDS(on)仅为5.3mΩ，即便在较低驱动电压4.5V下也能保持6.7mΩ的低阻值，确保了在宽范围输入电压条件下的高效运行，尤其适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　该器件具备出色的动态性能，总栅极电荷Qg仅为25nC（测试条件VG=10V），这直接降低了驱动电路所需的能量，减少了开关过程中的延迟和功耗，有利于提高开关频率并减小外围滤波元件的体积。同时，其输入电容Ciss为1200pF，输出电容Coss为490pF，表现出良好的电容匹配特性，有助于抑制开关过程中的电压振荡和电磁干扰(EMI)。反向恢复时间trr为24ns，说明其体二极管具有较快的恢复速度，在桥式拓扑或续流应用中可减少反向恢复损耗，避免产生过大的电压尖峰，从而提升系统可靠性。
　　IRKT41/08采用PG-HSOF-8封装，该封装具有较大的裸露焊盘，可通过PCB散热焊盘实现高效的热传导，有效降低热阻，提升功率处理能力。其表面贴装形式便于自动化生产，节省空间，适用于高密度PCB布局。此外，器件经过严格的老化和可靠性测试，具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时承受一定的能量冲击而不损坏。综合来看，IRKT41/08在导通损耗、开关性能、热管理与可靠性之间实现了良好平衡，是高性能电源设计的理想选择。

应用

IRKT41/08广泛应用于多种高效率电源管理系统中。在DC-DC转换器领域，它常被用作降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中的主开关或同步整流开关，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中，多个IRKT41/08并联使用可分担大电流负载，提高系统效率和稳定性。在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源板中，该器件因其低RDS(on)和高电流能力而备受青睐。
　　在负载开关和热插拔控制电路中，IRKT41/08可用于控制电源路径的通断，其快速响应能力和低导通压降有助于减少启动冲击电流并提高系统能效。此外，在电池供电设备如便携式医疗仪器、工业手持终端和电动工具中，该MOSFET可作为主功率开关，实现高效的能量传递和低待机损耗。
　　在电机驱动应用中，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，IRKT41/08可用于上下桥臂开关，其快速开关特性和低导通电阻有助于提升电机控制精度和响应速度。同时，由于其具备良好的热性能和可靠性，也可用于LED驱动电源、USB PD充电器、PoE（以太网供电）设备等对空间和效率要求较高的应用场景。总之，凡是需要高电流、低损耗、小尺寸MOSFET的场合，IRKT41/08都是一个极具竞争力的解决方案。