IRKT41/04 时间：2025/12/26 20:47:48 阅读：12

IRKT41/04是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高性能开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和薄芯片技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)）和优化的开关特性，从而显著降低传导损耗和开关损耗。IRKT41/04特别适用于高效率电源转换系统，如服务器电源、电信整流器、工业电源以及DC-DC变换器等要求严苛的应用场景。这款MOSFET具备高脉冲电流处理能力，同时具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其封装形式为TO-220AB，是一种广泛使用的通孔安装封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合在高功率密度设计中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保的严格要求。IRKT41/04还集成了快速体二极管，有助于改善反向恢复性能，减少电磁干扰（EMI），提升整体系统效率。由于其出色的电气特性和稳健的设计，IRKT41/04被广泛应用于各种中高端电力电子设备中，作为关键的开关元件发挥重要作用。

参数

型号：IRKT41/04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：280A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：1120A
　　导通电阻RDS(on)：0.9mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷Qg：340nC（典型值）
　　输入电容Ciss：11600pF（典型值）
　　开启延迟时间td(on)：35ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

IRKT41/04具备多项优异的技术特性，使其在高功率开关应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻RDS(on)仅为0.9mΩ（典型值），在大电流条件下显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。这对于需要长时间高负载运行的应用尤为重要，例如数据中心电源系统和工业电机驱动器。其次，该器件采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术和薄芯片工艺，不仅提升了电流密度，还优化了热阻特性，使得器件在高功率工作状态下仍能保持较低的温升。
　　此外，IRKT41/04具有出色的开关性能，其栅极电荷Qg为340nC，相对较低，有助于减少驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而降低开关损耗。输入电容Ciss为11600pF，在同类高电流MOSFET中处于合理水平，有利于实现高频操作下的稳定控制。器件的开启和关断延迟时间分别为35ns和45ns，响应迅速，适合用于高频PWM控制场合。
　　该MOSFET还具备强大的过载和短路承受能力，脉冲漏极电流可达1120A，适用于瞬态高电流冲击场景。其宽泛的工作结温范围从-55°C到+175°C，确保了在极端环境温度下依然可靠运行。集成的快速体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr），有效减少了换流过程中的能量损耗和电压尖峰，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。同时，TO-220AB封装提供了优良的散热路径，便于通过散热片进一步增强热管理能力。这些综合特性使IRKT41/04成为高性能电源设计中的理想选择。

应用

IRKT41/04广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括服务器和通信设备中的初级侧开关管，用于AC-DC电源模块的同步整流或硬开关拓扑结构。在工业自动化领域，该器件可用于大功率DC-DC变换器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的功率级设计。由于其卓越的电流处理能力和低导通损耗，也常被选用于电动工具、电动汽车充电系统以及电池管理系统（BMS）中的高电流开关回路。
　　在电信基础设施中，如4G/5G基站电源整流单元，IRKT41/04能够有效支持高密度电源架构，提升整体转换效率并降低系统温升。此外，在高端消费类电源产品，如游戏主机电源和高性能计算平台中，该器件同样展现出优异的性能表现。其高可靠性和耐久性也使其适用于恶劣工业环境下的长期运行设备。得益于其快速开关特性和良好的热稳定性，IRKT41/04还可用于高频谐振变换器和软开关拓扑（如LLC）中，进一步挖掘能效潜力。总之，凡是需要高效、大电流、低损耗开关功能的电力电子系统，都是IRKT41/04的理想应用领域。