型号：IRKT250-04
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：250A
　　脉冲漏极电流（IDM）：800A
　　导通电阻RDS(on) @10V VGS：0.7mΩ
　　导通电阻RDS(on) @4.5V VGS：0.9mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型2.0V，范围1.5~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值约15000pF
　　输出电容（Coss）：典型值约1000pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值<30ns
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-263 (D2PAK)

IRKT250-04采用英飞凌领先的TrenchStop? 5技术，这一技术通过优化沟槽结构和电场分布，实现了极低的导通电阻与出色的开关特性之间的平衡。其RDS(on)低至0.7mΩ（在VGS=10V时），显著降低了大电流条件下的传导损耗，提升了电源系统的整体效率。该技术还通过减少芯片厚度和优化掺杂分布，增强了器件的热导率，使热量更有效地从结传递到封装外壳，从而提高了长期运行的可靠性。同时，TrenchStop? 5技术具备优异的抗雪崩能力，能够在突发短路或电压尖峰情况下保持稳定，避免器件损坏，这对于工业级应用至关重要。
　　该MOSFET具有非常快速的开关速度，得益于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），使得在高频操作下仍能保持较低的开关损耗。这对于现代高频率开关电源（如LLC谐振转换器）尤为重要，可以有效减少磁性元件体积，提高功率密度。此外，其反向恢复时间（trr）极短，配合体二极管的软恢复特性，大幅降低了换向过程中的电压振铃和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。这在多相VRM（电压调节模块）或同步整流电路中尤为关键。
　　IRKT250-04的TO-263封装不仅支持表面贴装工艺，还具备优良的散热性能。底部大面积铜焊盘可以直接连接PCB上的散热区域，实现高效的热传导。该封装符合RoHS标准，并具备良好的机械强度，适合在振动环境或高温工业环境中长期运行。此外，器件经过严格的质量认证，包括AEC-Q101应力测试，确保其在严苛工况下的稳定性。总体而言，IRKT250-04是一款面向高端工业和通信电源领域的理想选择，兼顾性能、可靠性和可制造性。

IRKT250-04广泛应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括大功率DC-DC转换器，尤其是在服务器电源和电信整流器中作为同步整流开关使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。在多相电压调节模块（VRM）中，该器件可并联使用以满足CPU或GPU所需的数百安培供电需求，其低RDS(on)和快速响应能力确保了动态负载下的稳定输出。
　　在工业电机驱动领域，IRKT250-04可用于H桥或半桥拓扑中的功率开关，驱动直流无刷电机或步进电机。其高电流承载能力和耐高温特性使其适用于长时间连续运行的工业设备。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微逆变器系统中，该MOSFET可用于DC-AC转换阶段，特别是在高频软开关拓扑如LLC或移相全桥电路中表现优异。
　　由于其出色的热性能和紧凑封装，IRKT250-04也适用于空间受限但功率密度要求高的场合，如嵌入式电源模块、工业计算机电源单元以及电动汽车充电设备中的辅助电源系统。在焊接设备、激光电源等高功率脉冲应用中，该器件也能胜任瞬时大电流切换任务。总的来说，凡是需要高效、高电流开关能力的电源系统，IRKT250-04都是一个极具竞争力的选择。

IRLHS250-04
　　IRF2807
　　IXFH250N04P