时间：2025/12/26 20:58:53
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IRKT142-14是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽栅极技术和场截止技术设计，专为高效率电源转换系统应用而优化。该器件属于OptiMOS?系列的一部分，工作在140V的漏源电压（VDS）下，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，使其在硬开关和高频开关拓扑中表现出色。IRKT142-14集成了一个快速体二极管，适用于需要反向电流续流的应用场景，如DC-DC变换器、同步整流和电机驱动等。该器件封装于PG-HSOF-5封装中，具有较小的尺寸和良好的热性能，适合对空间和散热有严格要求的设计。此外，IRKT142-14符合RoHS标准，并具备高抗雪崩能力，增强了系统的鲁棒性与可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：140 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）@25°C：90 A
脉冲漏极电流（IDM）：360 A
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：2.7 mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：4.0 mΩ
栅极电荷（Qg）典型值：85 nC
输入电容（Ciss）典型值：4020 pF
反向恢复时间（trr）：35 ns
阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.0 V
最大功耗（Ptot）：250 W
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
封装类型：PG-HSOF-5
IRKT142-14采用了英飞凌领先的OptiMOS?技术，基于140V耐压平台进行优化设计，实现了超低导通电阻与优异开关特性的完美结合。其核心优势在于极低的RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为2.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这对于大电流应用尤其重要，例如服务器电源、电信整流器和电动汽车车载充电机等需要高效能量转换的场合。该器件还具备出色的热稳定性，得益于其先进的封装技术和内部结构设计，能够在高功率密度条件下长时间稳定运行。芯片通过优化沟道设计和载流子分布，有效减少了JFET效应和基板电阻的影响，从而进一步降低导通损耗。
在动态性能方面，IRKT142-14展现出低栅极电荷（Qg典型值85nC）和低输出电容（Coss），这使得它在高频开关操作中能够大幅减少开关损耗，提升电源系统的开关频率上限，进而缩小磁性元件和滤波电容的体积，实现系统小型化。同时，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=35ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），有效抑制了反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。这一特性对于LLC谐振转换器、无桥PFC电路等对二极管性能敏感的应用至关重要。
该器件支持逻辑电平驱动，在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（4.0mΩ），兼容现代控制器的低电压输出驱动信号，无需额外的电平转换或驱动增强电路，简化了设计复杂度并降低成本。此外，IRKT142-14具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和能量冲击，提高系统在异常工况下的生存能力。其+175°C的最高工作结温允许在高温环境下运行，配合有效的散热设计可满足工业级甚至部分汽车级应用需求。PG-HSOF-5封装采用底部裸露焊盘设计，便于与PCB热沉连接，实现高效的热量传导，进一步提升功率处理能力。
IRKT142-14广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块）、通信电源中的隔离式DC-DC中间母线转换器（IBC）、工业电源的PFC（功率因数校正）级和LLC谐振变换器。由于其优异的导通和开关性能，特别适用于同步整流拓扑，在副边同步整流电路中替代肖特基二极管以显著降低传导损耗，提升转换效率。此外，该器件也适用于电动工具、无人机和轻型电动车的电机驱动电路，以及太阳能微逆变器和储能系统的DC-DC升压/降压环节。在汽车电子领域，IRKT142-14可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源模块，满足AEC-Q101可靠性标准的部分严苛要求。其小尺寸封装也使其成为紧凑型适配器、高端消费类电源和LED驱动电源的理想选择。
IRFP142-14PBF
IRLTK142-14
