类型：单通道IGBT驱动器
　　最大供电电压：25V
　　输出峰值电流：±15A
　　输入逻辑兼容性：3.3V/5V CMOS/TTL
　　传播延迟时间：典型值80ns
　　上升时间（10%-90%）：典型值25ns
　　下降时间（90%-10%）：典型值20ns
　　最大开关频率：100kHz以上
　　隔离耐压能力：无内置隔离，依赖外部设计
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　关断源极引脚（Kelvin Emitter）：支持
　　有源米勒钳位：支持
　　短路保护响应时间：小于1μs
　　欠压锁定（UVLO）阈值：开启约13.5V，关闭约12V
　　高侧偏置电压最大值：1200V
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100kV/μs
　　封装类型：TO-247-3

IRKT132-12具备多项先进特性，使其成为高功率应用中理想的驱动解决方案。首先，它集成了有源米勒钳位功能，能够在IGBT关断期间主动将栅极电压拉低至地电平，防止因寄生电容耦合引起的误开通现象，显著提升系统的抗噪声能力和稳定性。这一机制对于高频开关操作尤为重要，可以有效避免因dv/dt干扰导致的误导通问题，从而增强整个功率变换系统的可靠性。
　　其次，该驱动器配备了快速且精准的短路保护机制。通过检测退饱和（DESAT）状态，在发生过流或短路故障时，可在1微秒内迅速切断输出，并触发软关断程序，以减少应力冲击对IGBT造成的损害。软关断过程通过内部恒定电流源缓慢放电栅极电荷，避免产生过高的电压尖峰，从而保护功率器件免受二次击穿风险。同时，集成的有源米勒钳位在此过程中继续发挥作用，进一步保障安全。
　　再者，IRKT132-12采用高抗扰度的电平移位技术，支持高边浮动工作模式，适用于半桥拓扑结构。其共模瞬态抗扰度（CMTI）高达±100kV/μs，即使在极端电磁干扰环境下也能保持信号完整性，防止逻辑错误或误动作。此外，器件内部设有精确的欠压锁定（UVLO）电路，当电源电压低于设定阈值时自动禁用输出，防止IGBT在低电压状态下工作而导致导通不完全或过热损坏。
　　最后，该芯片提供独立的源极连接（Kelvin Emitter），实现驱动回路与功率回路的分离，减小寄生电感影响，提升开关速度与控制精度。结合高达±15A的峰值输出电流能力，IRKT132-12能够高效驱动大容量IGBT模块，缩短开关过渡时间，降低动态损耗，适用于高效率、高密度的电力电子系统设计。

IRKT132-12主要应用于需要高电压、高功率开关控制的各种工业与能源系统中。其典型应用场景包括工业电机驱动器，特别是中高压交流变频器，其中需精确控制大功率IGBT模块进行高效能量转换。在这些系统中，IRKT132-12凭借其高驱动能力与快速响应特性，可显著提升系统的动态性能与能效水平。
　　另一个重要应用领域是太阳能光伏逆变器。在集中式或组串式逆变器中，IRKT132-12可用于驱动DC-AC转换级的高压IGBT，实现高效的直流到交流电能转换。其高抗干扰能力和可靠的保护机制有助于应对户外复杂电磁环境，确保长期稳定运行。
　　此外，该器件也广泛用于不间断电源（UPS）系统，尤其是在在线式双变换UPS中，负责驱动逆变桥臂的IGBT模块。在此类应用中，系统对开关速度、可靠性和故障响应时间要求极高，IRKT132-12的快速短路保护与软关断功能可有效防止设备损坏，提高系统安全性。
　　感应加热设备如电磁炉、金属熔炼装置等也是其典型应用之一。这类系统通常工作在较高频率与大电流条件下，IRKT132-12的高CMTI性能和米勒钳位功能可有效抑制高频干扰，保证稳定点火与持续振荡。
　　除此之外，IRKT132-12还可用于焊接设备、电动汽车充电机、储能系统及各类工业电源中，凡是涉及1200V及以上电压等级、需高性能单通道驱动的场合，均能发挥其优势。其坚固的设计与全面的保护功能使其成为现代高功率电子系统中不可或缺的关键组件。

IRKT132-12PBF