类型：IGBT模块
　　配置：单管（Single IGBT）
　　集电极-发射极电压 VCES：1200V
　　集电极电流 IC @ 25°C：132A
　　集电极电流 IC @ 100°C：80A
　　栅极-发射极电压 VGES：±20V
　　工作结温范围 TJ：-40°C 至 +150°C
　　最大开关频率：约30kHz（取决于应用条件）
　　导通压降 VCE(sat) @ IC=132A, VGE=15V：约1.7V
　　封装类型：Easy 2B
　　是否集成NTC：是

IRKT132/16采用了英飞凌第六代Trench-Field Stop IGBT技术，这一技术通过优化电场分布和载流子浓度，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通压降和尾电流。其核心优势在于实现了极低的导通损耗（VCE(sat)典型值仅为1.7V），这使得在大电流工况下功耗更小，能效更高。同时，该器件的开关特性经过精细调校，在开通和关断过程中表现出较低的开关能量损耗，尤其在硬开关电路中表现优异，有助于提高整体系统效率并减少对散热系统的要求。
　　该模块具备良好的短路耐受能力，典型短路时间可达6μs以上，能够在瞬态过载或故障条件下提供一定的保护裕量，增强了系统的鲁棒性。其栅极结构设计合理，输入电容小，驱动功率需求低，兼容标准的+15V/-15V或+15V/0V驱动信号，适用于各种主流IGBT驱动芯片（如2ED系列）。此外，由于采用先进的薄晶圆工艺和场截止层设计，IRKT132/16在高温下的电流拖尾效应明显减弱，进一步提升了高频开关性能和热稳定性。
　　Easy 2B封装不仅提供了优良的电气绝缘性能和机械强度，还具备较低的热阻（Rth(j-c)），有利于热量从结传递到外壳，从而延长器件寿命。模块底部为直接焊接式铜基板，支持使用导热硅脂或焊料安装于散热器，确保高效的热管理。集成的NTC热敏电阻位于靠近IGBT芯片的位置，能够准确反映工作温度，为控制系统提供可靠的温度反馈，实现过温保护、功率调节等功能。整体设计符合RoHS环保要求，并通过多项工业级可靠性认证，适用于严苛环境下的长期运行。

IRKT132/16主要用于中高功率电力电子变换系统中，作为核心开关元件承担直流到交流或交流到直流的能量转换任务。典型应用场景包括工业变频器和伺服驱动器中的逆变桥臂，用于控制三相交流电机的转速与扭矩；在不间断电源（UPS）系统中，该模块可用于DC-AC逆变级，将电池或整流后的直流电转换为纯净正弦波交流输出，保障关键负载的持续供电。
　　在可再生能源领域，特别是光伏逆变器中，IRKT132/16常被用于单相或三相并网逆变拓扑结构中，实现太阳能电池板产生的直流电高效转化为符合电网标准的交流电。其低损耗特性和良好的动态响应能力有助于提升逆变器的整体转换效率，满足Tier 1能效标准。此外，在感应加热设备（如电磁炉、金属熔炼装置）中，该IGBT模块可用于构建串联或并联谐振逆变电路，产生高频交变磁场以实现非接触式加热，其快速开关能力和高耐压特性非常适合此类高频硬开关应用。
　　其他应用还包括电焊机、电动汽车充电模块、有源滤波器（APF）和动态电压恢复器（DVR）等需要高可靠性和高效率功率切换的场合。得益于其紧凑的Easy 2B封装和集成NTC功能，IRKT132/16特别适合空间受限但要求高性能的嵌入式功率系统设计。

FF100R12KS4
　　FF150R12KS4
　　IKW132N120H3