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IRKT132/12 发布时间 时间:2025/12/26 19:49:15 查看 阅读:21

IRKT132/12是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统以及电力转换设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优点,具备优良的开关特性和载流能力。IRKT132/12采用先进的沟道场截止(Field-Stop Trench)技术制造,优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡,从而提升了整体效率。该模块为半桥配置,内置两个独立的IGBT芯片,适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场景。其封装形式为行业标准的MiniSKiiP,具有良好的热性能和机械稳定性,并支持无焊接安装方式,便于维护和更换。此外,该模块内部集成有NTC温度传感器,可用于实时监控模块工作温度,提高系统安全性。IRKT132/12设计用于600V电压等级,额定电流达132A,在150°C结温下仍能稳定运行,适合在严苛环境下长期使用。

参数

型号:IRKT132/12
  制造商:Infineon Technologies
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:半桥
  集电极电流 Ic (连续):132 A
  集电极电流 Ic (脉冲):264 A
  集射极饱和电压 Vce(sat) @ 25°C:1.75 V
  最大工作电压 Vces:1200 V
  栅极阈值电压 Vge(th):6 V
  开关频率典型值:20 kHz
  工作结温范围:-40 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-40 °C 至 +150 °C
  热阻 Rth(j-c):0.25 K/W
  封装类型:MiniSKiiP
  是否集成NTC:是
  安装方式:压接式(无焊接)

特性

IRKT132/12的核心特性之一在于其采用了英飞凌先进的沟道场截止(Trench Field-Stop)IGBT工艺,这一技术显著降低了器件的拖尾电流,从而有效减少关断过程中的能量损耗,提升高频开关效率。同时,该技术还优化了载流子分布,使Vce(sat)保持在较低水平(典型值1.75V),有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统整体能效。
  该模块为半桥配置,包含两个独立可控的IGBT单元,每个单元均可独立驱动,适用于三相逆变器中的桥臂构建或单相全桥电路。这种灵活的拓扑结构使其在变频器、伺服驱动器和UPS电源等应用中表现出色。模块内部未集成反并联二极管,因此在实际应用中需外接快速恢复二极管以实现续流功能,这虽然增加了外围设计复杂度,但也提供了更大的选型自由度,可根据具体需求匹配最优的续流器件。
  热管理方面,IRKT132/12具备优异的热传导性能,其结到外壳的热阻仅为0.25K/W,配合良好的散热器设计,能够有效将工作热量传导至外部环境,避免局部过热导致的性能下降或器件损坏。模块采用压接式安装方式,无需焊接,不仅简化了装配流程,还提高了模块更换的便捷性,特别适用于需要定期维护的大功率工业设备。
  此外,模块内嵌一个负温度系数(NTC)热敏电阻,可用于实时监测IGBT芯片的结温变化。通过将NTC信号反馈至控制单元,系统可实现温度保护、动态降额或风扇调速等功能,极大增强了系统的安全性和可靠性。该模块支持高达150°C的最大工作结温,适应于高温工业环境,且在宽温范围内保持稳定的电气性能。

应用

IRKT132/12因其高功率处理能力和高可靠性,被广泛应用于多种工业与能源领域。在工业自动化中,它常用于中等功率等级的交流伺服驱动器和变频器中,作为主逆变桥的核心开关元件,实现对电机转速与转矩的精确控制。其优异的开关特性使得PWM调制更加精细,有助于降低电机噪音与振动,提升控制精度。
  在可再生能源系统中,该模块可用于光伏逆变器的DC-AC转换级,尤其是在组串式或小型集中式逆变器中表现突出。其高效率和良好的热稳定性有助于提升系统整体转换效率,延长设备使用寿命,并满足严格的能效标准如IEC 61683或EN 50530。
  此外,IRKT132/12也适用于不间断电源(UPS)系统,特别是在在线式双变换UPS中承担逆变功能。在市电正常时,该模块参与整流充电;当市电中断时,则切换至逆变模式,将电池直流电转换为纯净正弦波交流电输出,保障关键负载持续供电。其快速响应能力和高过载承受力确保了UPS在突加负载或短时过载情况下的稳定运行。
  其他应用还包括感应加热设备、电焊机电源、电动汽车充电桩中的DC-AC逆变部分以及各类工业电源系统。由于其支持压接安装,特别适合那些要求免焊接、易维护的高端工业设备平台。

替代型号

FF150R12KS4
  FS150R12KT3G
  IXGH150N120

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