IRKL56-04 时间：2025/12/26 19:44:41 阅读：10

IRKL56-04是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件封装在DirectFET? LF（低外形）封装中，具备优异的热性能和电气性能，适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。IRKL56-04广泛应用于服务器、电信设备、DC-DC转换器、同步整流以及负载点（POL）电源系统等高性能电子设备中。其低栅极电荷和低输出电容特性使其在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层，确保在严苛工作环境下的可靠运行。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造要求。

参数

类型：N沟道
　　连续漏极电流（ID）：130A
　　脉冲漏极电流（IDM）：390A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：40V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 10V：2.8mΩ
　　漏源导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = 4.5V：4.0mΩ
　　输入电容（Ciss）：4070pF
　　输出电容（Coss）：1320pF
　　反向传输电容（Crss）：105pF
　　栅极电荷（Qg）typ @ 10V：56nC
　　栅极电荷（Qgd）：15nC
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大结温（Tj）：150°C
　　封装类型：DirectFET? LF

特性

IRKL56-04采用英飞凌先进的沟槽MOSFET技术和DirectFET? LF封装，实现了极低的导通电阻与优异的热管理性能。其RDS(on)在VGS = 10V时仅为2.8mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于显著降低传导损耗，提高电源系统的整体能效。该器件的低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）使其非常适合高频开关应用，如多相降压变换器和同步整流电路，能够在MHz级开关频率下保持较低的开关损耗，减少发热并提升功率密度。
　　DirectFET? LF封装采用顶部散热设计，允许通过PCB上方的散热器直接进行冷却，极大提升了热传导效率，解决了传统底部散热封装在高功率密度设计中的散热瓶颈问题。这种封装还具有极低的内部寄生电感，进一步增强了器件的开关性能和EMI表现。此外，器件具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压冲击，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　IRKL56-04的栅氧化层经过优化设计，具备更高的可靠性，可耐受长期高温和高电场应力，延长了器件使用寿命。其阈值电压典型值为2.0V，支持逻辑电平驱动，兼容多种PWM控制器输出信号。同时，该MOSFET具有较低的体二极管反向恢复电荷（Qrr），减少了反向恢复过程中的能量损耗和电压振荡，特别适合用于同步整流拓扑中作为下管使用。
　　该器件符合工业级质量标准，经过严格的老化测试和可靠性验证，适用于要求高可用性和长寿命的通信电源、服务器主板供电、FPGA/ASIC核心供电等关键应用场景。其无铅、无卤素的设计也满足现代环保法规要求，支持回流焊工艺，便于自动化生产装配。