类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：8 A（@25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：32 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：max 41 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)：max 55 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　总栅极电荷（Qg）：16 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：570 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：140 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：27 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PG-SOT223-4

IRKL41/14的核心优势在于其采用的先进超结（Superjunction）结构与沟道优化设计，这使得它在保持高压阻断能力的同时显著降低了导通电阻和开关损耗。这种结构通过在漂移区形成交替的P型和N型柱状区域，有效平衡了电场分布，从而提升了器件的耐压能力和载流能力。其典型的RDS(on)仅为41mΩ（在VGS=10V条件下），意味着在大电流工作状态下仍能维持较低的功率损耗，有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。此外，该器件的栅极电荷Qg仅为16nC，这一低值直接减少了驱动电路所需的能量，使它非常适合用于高频开关电源拓扑如LLC谐振转换器、同步整流和高密度DC-DC模块。
　　另一个关键特性是其出色的热性能表现。PG-SOT223-4封装不仅体积小巧，还集成了大面积金属背板，可以直接将芯片背面连接至外部散热路径，极大增强了热传导效率。即使在持续高负载运行下，也能有效控制结温上升，确保长期工作的可靠性。同时，该MOSFET具备良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定程度的自我保护。其阈值电压范围设定在2.0V~3.0V之间，兼容主流逻辑电平驱动信号，包括PWM控制器和栅极驱动IC，简化了系统设计复杂度。
　　IRKL41/14还具备优异的抗干扰能力和稳定性，在高温环境下仍能保持参数一致性。其输入电容和输出电容数值适中，有利于减少高频噪声传播和振铃现象的发生。器件内部结构经过优化以降低寄生电感和电阻的影响，进一步提升动态响应性能。综合来看，IRKL41/14是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热管理都有严格要求的应用领域。

IRKL41/14广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能和小尺寸封装的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器、LED照明驱动电源以及电池管理系统中的功率控制模块。由于其具备低导通电阻和快速开关特性，常被用作主开关管或同步整流管，以提升转换效率并减少发热。在消费类电子产品如笔记本电脑电源、手机快充头、智能家居设备电源单元中，IRKL41/14能够帮助实现更高的功率密度和更长的待机时间。
　　在工业控制领域，该器件可用于电机驱动电路、继电器驱动模块以及PLC（可编程逻辑控制器）中的开关电源部分。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级应用的严苛要求。此外，在电信基础设施设备如基站电源、网络交换机和服务器电源模块中，IRKL41/14凭借其高可靠性与低电磁干扰特性，成为理想的功率开关元件。
　　新能源相关应用也是其重要使用场景之一，例如太阳能微逆变器、储能系统中的双向DC-DC变换器以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。在这些系统中，能效和长期稳定性至关重要，而IRKL41/14的表现恰好契合这些需求。同时，由于其符合RoHS标准且不含卤素，也适用于对环保要求较高的绿色能源项目。总而言之，无论是在民用、工业还是新兴能源领域，IRKL41/14都展现出了强大的适应性和实用性。

IRLML61/14
　　IRF7401
　　BSC041N10NS5