型号：IRKL26-16
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）：90A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on) max：2.6mΩ @ VGS = 10V, ID = 45A
　　阈值电压（Vth）：2.1V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 7000pF
　　输出电容（Coss）：典型值 1800pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 35ns
　　最大功耗（Ptot）：225W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

IRKL26-16具备多项关键特性，使其成为高性能功率转换应用的理想选择。首先，其极低的导通电阻RDS(on)仅为2.6mΩ（在VGS=10V，ID=45A条件下测得），显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。这对于大电流应用尤为重要，例如服务器电源、电动汽车车载充电机或工业电机驱动器，能够有效减少发热并提升能效等级。其次，该器件采用了英飞凌成熟的沟槽栅极技术，优化了载流子迁移路径，从而实现了更快的开关速度和更低的栅极电荷（Qg），这有助于降低高频开关过程中的动态损耗，支持更高频率的操作，缩小外围无源元件体积，进而实现电源系统的紧凑化设计。
　　另一个重要特性是其出色的热性能和机械稳定性。TO-252封装不仅提供优良的散热通道，还能承受较大的焊接应力，适用于严苛的工作环境。器件的最大结温可达+175°C，表明其在高温工况下依然具备可靠的运行能力，特别适合密闭空间或自然冷却条件下的应用。此外，IRKL26-16具有较强的抗雪崩能力，能够在遭遇电压尖峰或感性负载突变时吸收一定的能量而不发生永久性损坏，这一特性大大增强了系统的鲁棒性和长期运行的安全性。
　　该MOSFET还具备良好的体二极管性能，其反向恢复时间较短（典型值35ns），减少了换流过程中产生的反向恢复电荷和电磁干扰（EMI），有利于改善轻载效率并简化EMI滤波电路的设计。同时，±20V的栅源电压耐受能力使得其在面对栅极驱动信号波动时更具容错性，避免因驱动异常导致的器件击穿。综合来看，IRKL26-16通过低RDS(on)、高电流承载能力、优良热管理特性和强健的电气保护机制，在众多同类产品中脱颖而出，满足现代电力电子设备对高效率、高密度和高可靠性的综合需求。

IRKL26-16广泛应用于多个高要求的电力电子领域。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作主开关管或同步整流器，特别是在大功率DC-DC变换器中，如通信电源、服务器电源和工业电源模块，其低导通电阻和高效率特性可显著提升电源的整体效能。在电机驱动系统中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构，驱动直流电机或步进电机，常见于工业自动化设备、电动工具和家用电器中。由于其高电流处理能力和良好的热稳定性，也适合用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，尤其是在电动自行车、储能系统和轻型电动车中发挥关键作用。
　　在汽车电子方面，IRKL26-16可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源单元，满足汽车级应用对温度范围和可靠性的严格要求。此外，该器件还可应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及LED驱动电源等绿色能源和照明系统中，作为核心功率开关元件，实现高效的能量转换与管理。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于大规模制造场景，进一步拓展了其在消费电子和工业产品中的应用潜力。

IRLR26-16
　　IRF1404Z
　　IXFN90N60P