型号：IRKJ26/06
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：26 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：104 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：max 70 mΩ（@Vgs = 10 V, Id = 13 A）
　　阈值电压（Vth）：min 3.0 V，max 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 2800 pF（@Vds = 50 V）
　　输出电容（Coss）：约 500 pF（@Vds = 50 V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 30 ns
　　最大功耗（Ptot）：200 W（@Tc = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220FP

IRKJ26/06采用了英飞凌独有的TrenchSTOP? 5技术，这项技术通过优化的沟槽栅结构显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的折衷关系，从而实现了更低的导通损耗和开关损耗。该MOSFET在650 V额定电压下表现出优异的性能，尤其在硬开关和软开关拓扑中均能保持高效能。其低Rds(on)值确保了在大电流应用中的温升控制良好，有助于提升整体系统的能效。此外，该器件具有出色的开关速度，配合较低的栅极电荷（Qg），使得驱动电路设计更为简单且功耗更低。器件还具备良好的抗雪崩能力，在遭遇电压突波或感性负载断开时能够有效防止损坏，提高了系统可靠性。得益于TO-220FP封装的优良散热性能，IRKJ26/06可在高环境温度下长期稳定运行。该封装无引线框架设计减少了热阻，提升了热循环耐久性。同时，器件符合RoHS标准，并具备高隔离电压能力，适用于需要电气隔离的安全关键型应用。其内部结构经过优化，减少了米勒效应的影响，降低了误触发风险，进一步增强了在高频开关环境下的稳定性。
　　此外，IRKJ26/06在体二极管的反向恢复特性方面也进行了优化，具有较短的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），这有助于减少交叉导通损耗并抑制电压尖峰，尤其适用于桥式电路和ZVS/PWM等先进拓扑结构。该器件还具备较强的dv/dt和di/dt耐受能力，能够在快速变化的电压和电流条件下保持稳定工作，避免因噪声干扰导致的误动作。总体而言，IRKJ26/06凭借其高性能、高可靠性和良好的热管理能力，成为中高功率开关电源设计中的优选器件之一。

IRKJ26/06广泛应用于多种高效率电力电子系统中。典型应用场景包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是在PFC（功率因数校正）升压级和主DC-DC变换器中，其高耐压和低损耗特性可显著提高系统效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC转换级，支持高频率切换以减小滤波元件体积并提升能量转换效率。此外，它也适用于不间断电源（UPS）系统中的逆变器和整流模块，提供稳定的功率输出和快速响应能力。在电机驱动领域，尤其是中小功率的交流驱动器和伺服系统中，IRKJ26/06可用于半桥或全桥配置，实现精确的PWM控制。该器件还可用于电动汽车充电设备、感应加热系统以及高频DC-DC转换器等对功率密度和热性能要求较高的场合。由于其具备良好的抗雪崩能力和高温工作稳定性，也适合在恶劣工况下使用的工业自动化设备和户外电源装置中部署。总之，凡是需要高效、可靠且具备一定过载承受能力的N沟道MOSFET的应用，IRKJ26/06都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "IKW25N65ES5",
　　 "IPP65R290CFD",
　　 "SPW36N60C3"
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