类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：166A
　　非重复最大峰值正向电流（IFSM）：2000A
　　最大正向电压（VF）：1.75V（在166A条件下）
　　反向漏电流（IR）：10mA（最大值，25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-40°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +175°C
　　热阻（RthJC）：约0.15 K/W（典型值）
　　封装类型：PressFIT 或类似螺栓式封装

IRKJ166-14的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，赋予了该器件远超传统硅基二极管的性能表现。首先，由于碳化硅材料具有宽禁带特性，使得该二极管在高温环境下仍能保持极低的反向漏电流和稳定的电气性能。其工作结温最高可达+175°C，远高于普通硅器件的+150°C限制，从而提升了系统在高负载条件下的可靠性和寿命。其次，该器件为真正的肖特基势垒结构，不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复电流，从根本上消除了开关过程中的能量损耗和电压尖峰问题。这一特性在高频开关电源中尤为重要，能够显著提升转换效率并降低对散热系统的要求。
　　此外，IRKJ166-14具备优异的动态性能，即使在快速dv/dt条件下也能保持稳定运行，减少电磁干扰（EMI）的发生，有助于简化滤波电路设计。其低正向导通压降（典型值1.75V）虽然略高于部分硅快恢复二极管，但在高频率和高电流应用场景下，综合导通损耗与开关损耗的优势使其整体功耗更低。器件还具备出色的抗浪涌能力，非重复峰值正向电流可达2000A，能够在瞬态过载或短路故障期间提供更高的安全裕度。封装方面，采用PressFIT技术可实现无焊接压接安装，不仅提高了装配效率，还增强了机械连接的可靠性，特别适合需要频繁维护或高振动环境的应用场合，如轨道交通和新能源发电系统。

IRKJ166-14广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在工业领域，常用于大功率开关电源（SMPS）、电焊机电源和感应加热设备，利用其零反向恢复特性提升系统效率并减小磁性元件体积。在可再生能源系统中，该器件被大量应用于光伏（PV）太阳能逆变器的续流或升压二极管位置，帮助实现高达98%以上的转换效率，并增强系统在高温户外环境下的长期稳定性。在电动汽车基础设施方面，IRKJ166-14适用于直流快充桩的功率因数校正（PFC）级和DC-DC变换器中，支持高频率工作模式以缩小系统尺寸。此外，在不间断电源（UPS）和数据中心电源系统中，该二极管可用于三电平或多电平拓扑结构中的箝位或续流路径，提高系统能效并满足绿色能源标准。其高结温和高可靠性也使其适用于轨道交通牵引系统和海上风电变流器等极端环境下的电力转换装置。

IDH160SGA120C5