IRKH91/16 时间：2025/12/26 19:07:19 阅读：12

IRKH91/16是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在硬开关和软开关拓扑中实现卓越的性能表现。IRKH91/16特别适用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动以及各类DC-DC转换器等对能效和热管理要求严苛的应用场景。其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力和通用性，便于在多种电路布局中安装和使用。该MOSFET工作于+12V逻辑电平兼容的栅极驱动电压下，确保在标准控制IC驱动条件下也能实现充分导通，降低系统设计复杂度。此外，器件内部无卤素材料设计符合RoHS环保标准，提升了产品在绿色电子领域的适用性。得益于英飞凌在功率半导体领域的深厚积累，IRKH91/16在可靠性、耐用性和抗雪崩能力方面表现出色，能够在恶劣工作环境下保持稳定运行。

参数

型号：IRKH91/16
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：11 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：44 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值78 mΩ（@ Vgs=10V, Id=5.5A）
　　最大Rds(on)：95 mΩ（@ Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值47 nC（@ Vds=520V, Id=11A）
　　输入电容（Ciss）：典型值1350 pF（@ Vds=50V）
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值26 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值64 ns
　　反向恢复时间（trr）：典型值49 ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值4.7 μC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-220

特性

IRKH91/16具备出色的电气特性和热稳定性，使其成为中高功率开关应用的理想选择。其650V的漏源击穿电压允许在高压母线系统中安全运行，适用于PFC电路和桥式拓扑结构。器件的低导通电阻有效降低了导通损耗，提升整体系统效率，尤其在持续大电流工作条件下优势明显。同时，优化的栅极电荷参数减少了驱动电路的能量消耗，使控制器能够以更低功耗驱动MOSFET，适合高频操作。该器件还展现出优异的开关速度，开启和关断延迟时间短，有助于减小死区时间并抑制交叉导通现象。反向恢复特性经过优化，体二极管的反向恢复电荷和时间均较低，大幅降低了在半桥或全桥应用中因换流引起的电压尖峰和电磁干扰问题，增强了系统的EMI性能。此外，器件具有较强的抗雪崩能力，可在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护，提高系统鲁棒性。
　　从制造工艺角度看，IRKH91/16采用英飞凌成熟的Superjunction（超结）技术，实现了垂直电场均匀分布，突破了传统MOSFET在高电压与低导通电阻之间的权衡限制。这种结构在维持高耐压的同时显著降低了比导通电阻（Rds(on) × Area），从而在相同封装尺寸下提供更高的电流处理能力。TO-220封装不仅具备优良的热传导性能，还能通过外接散热片进一步增强散热效果，确保长时间高负载运行下的温度可控。器件的引脚配置符合行业标准，可直接替代同类产品而无需重新设计PCB布局。此外，其宽泛的工作结温范围支持极端环境下的应用，如工业现场或户外设备。所有材料均符合环保要求，不含卤素和重金属污染物，满足现代电子产品对可持续发展的需求。

应用

IRKH91/16广泛应用于多种电力电子系统中。在工业电源领域，常用于有源功率因数校正（PFC）级中的升压开关管，帮助提升输入功率因数并降低谐波失真。在太阳能光伏逆变器中，作为DC-AC变换桥臂的一部分，参与将直流电高效转换为交流电并馈入电网，其低损耗特性有助于提升整机转换效率。在电机驱动系统中，无论是单相还是三相逆变器架构，该MOSFET均可用于构建H桥或三相桥，实现对交流或永磁同步电机的精确控制。此外，在服务器电源、通信电源及高端消费类适配器中，IRKH91/16可用于LLC谐振转换器或硬开关PSFB拓扑，提供高效、紧凑的电源解决方案。由于其具备良好的动态响应能力，也适用于各种DC-DC变换器，如隔离型反激、正激或推挽电路。在UPS不间断电源系统中，该器件同样扮演关键角色，保障在市电中断时仍能稳定输出。总体而言，任何需要高压、高效、高频开关能力的应用场合，IRKH91/16都是一个可靠且高性能的选择。