IRKH71-12 时间：2025/12/26 20:00:21 阅读：20

IRKH71-12是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能高压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率开关应用设计。该器件集成了先进的沟槽栅场停止技术，具备低导通损耗和快速开关能力，适用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及感应加热等高要求的电力电子系统。IRKH71-12采用行业标准的Easy 1B封装，具有良好的热性能和电气隔离能力，便于散热器安装和系统集成。该模块内部结构为单管配置，即一个IGBT芯片搭配一个反并联续流二极管，适合半桥或全桥拓扑中的独立开关单元使用。其额定电压高达1200V，能够承受瞬态过压，同时在高温环境下仍保持稳定性能。得益于英飞凌在功率半导体领域的深厚积累，IRKH71-12在可靠性、效率和耐用性方面表现出色，广泛用于需要高能效和紧凑设计的现代电力转换设备中。
　　该器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的质量认证流程，确保在恶劣工作条件下的长期稳定性。其优化的内部布局减少了寄生电感，有助于降低开关过程中的电压尖峰，提高系统EMI性能。此外，IRKH71-12支持软关断特性，可在故障条件下安全地关闭电流，保护整个电力系统免受损坏。由于其出色的动态性能和热循环耐久性，该模块特别适合频繁启停和负载波动较大的应用场景。

参数

型号：IRKH71-12
　　类型：IGBT模块
　　配置：单管（带反并联二极管）
　　集电极-发射极击穿电压（Vces）：1200 V
　　集电极连续电流（Ic）@25°C：71 A
　　集电极峰值电流（Icm）：142 A
　　栅极-发射极电压范围（Vge）：-20 至 +20 V
　　饱和压降（Vce(sat)）@71A, Vge=15V：1.7 V
　　开关频率典型值：≤ 50 kHz
　　工作结温范围（Tvj）：-40 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-40 至 +150 °C
　　热阻（Rth(j-c)）IGBT：0.35 K/W
　　热阻（Rth(j-c)）二极管：0.6 K/W
　　封装类型：Easy 1B
　　安装方式：螺钉固定
　　隔离电压：2500 Vrms / 分钟

特性

IRKH71-12采用英飞凌先进的TRENCHSTOP? 5技术，结合场截止（Field Stop）结构与沟槽栅设计，在保证高电压阻断能力的同时显著降低了导通损耗和开关损耗。其Vce(sat)在额定电流下仅为1.7V，这意味着在大电流工况下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率并减少散热需求。该器件的开关特性经过优化，具备快速且可控的关断行为，有效抑制了关断过程中的电压过冲现象，提升了系统的电磁兼容性和可靠性。此外，集成的快速体二极管具有低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，可减少反向恢复引起的损耗和噪声干扰，尤其适用于高频PWM调制环境。
　　该模块的热性能优异，其低热阻设计使得热量能够高效传导至外部散热器，确保长时间高负载运行时的温度稳定性。Easy 1B封装采用压接式端子和底部绝缘基板，支持无焊接安装，提高了生产效率和维护便利性。同时，该封装具备良好的机械强度和抗振动能力，适合工业现场复杂环境。器件还具备出色的短路耐受能力，能够在规定时间内承受数倍于额定电流的短路电流而不发生永久性损坏，配合外部驱动电路可实现可靠的故障保护机制。
　　IRKH71-12的设计充分考虑了系统级需求，例如其输入电容和输出电容匹配良好，易于与标准门极驱动器接口协同工作。推荐的栅极电阻可根据具体应用调整，以平衡开关速度与EMI表现。此外，该模块在整个生命周期内保持参数一致性，避免因器件老化导致性能下降。其高度集成化和模块化结构简化了PCB布局，减少了外围元件数量，有利于实现更紧凑、更高效的功率变换装置。

应用

IRKH71-12广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于通用变频器和伺服驱动器中作为主功率开关元件，控制交流电机的速度与转矩，实现节能运行。在可再生能源系统中，该模块被用于光伏并网逆变器的核心升压或H桥逆变级，将太阳能电池板产生的直流电高效转换为交流电并馈入电网。此外，在不间断电源（UPS）系统中，IRKH71-12可用于DC/AC逆变环节，提供纯净稳定的交流输出，保障关键设备持续供电。
　　该器件也适用于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼炉和热处理系统，利用其高频开关能力产生交变磁场，实现非接触式加热。在电焊机电源中，IRKH71-12可用于构建DC/DC或DC/AC转换级，提供精确可控的焊接电流。由于其高可靠性和宽温度工作范围，该模块还可用于铁路牵引辅助电源、电动汽车充电站以及储能系统中的双向DC-AC变换器等新兴领域。其模块化设计便于并联使用以扩展输出功率，满足不同容量等级的应用需求。