型号：IRKH430/20
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：IGBT模块
　　拓扑结构：半桥
　　集电极-发射极电压（Vces）：1200 V
　　集电极电流（Ic）@25°C：430 A
　　集电极电流（Ic）@100°C：280 A
　　最大结温（Tvj max）：150 °C
　　关断能量（Eoff）：典型值 18 mJ @测试条件
　　导通压降（Vce(sat)）：约 2.1 V @ Ic = 430 A, Vge = 15 V
　　输入电容（Cies）：约 6.5 nF
　　隔离电压（Viso）：3300 VAC（典型值）
　　封装形式：HV-Direct (Press-fit)
　　工作温度范围（Tc）：-40 °C 至 +100 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-40 °C 至 +125 °C
　　反向恢复时间（trr）：快速软恢复二极管集成
　　热阻（Rth(j-c)）：低热阻设计，典型值 0.15 K/W per switch

IRKH430/20的IGBT芯片采用了英飞凌第四代或更先进的IGBT沟槽栅场截止（Trench-Fieldstop）技术，这种技术显著降低了导通压降与开关损耗之间的折衷矛盾，使得器件在高频开关条件下仍能保持较高的能效水平。该技术通过优化载流子分布和电场调控，实现了更低的Vce(sat)，从而减少了导通状态下的功率损耗，特别适合于需要持续大电流运行的应用场景。同时，其快速开关能力有助于缩小外围无源元件的尺寸，如电感和电容，进而减小整个系统的体积和重量。IGBT单元布局经过精心设计，确保电流均匀分布，避免局部热点形成，提高长期运行的可靠性。
　　该模块内置的续流二极管同样基于高性能快速恢复技术，具备低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，有效抑制了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统在高频工况下的稳定性。二极管与IGBT之间的匹配经过优化，确保两者在动态工作状态下协同良好，减少交叉导通风险。此外，模块采用直接键合铜（DBC）基板和先进的焊接工艺，提供了优异的热传导路径和机械强度，能够承受频繁的热循环应力，延长使用寿命。
　　HV-Direct Press-fit封装技术使IRKH430/20无需焊接即可实现与PCB的可靠连接，简化了装配流程，提高了生产效率，并增强了抗振动和热疲劳的能力。该封装还支持双面冷却设计，进一步提升散热性能，适用于高功率密度要求的设计。模块具备高隔离电压能力，满足IEC 60747-7等国际安全标准，适用于需要电气隔离的工业和能源系统。内置NTC温度传感器可用于实时监测模块温度，实现精准的过热保护和功率调节策略。整体而言，IRKH430/20是一款面向高端工业应用的高度集成化、高可靠性的IGBT功率模块。

IRKH430/20广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于大功率交流变频器和伺服驱动器中，作为主逆变电路的核心开关器件，实现对电机速度和转矩的精确控制。由于其高电流承载能力和良好的动态响应特性，非常适合驱动大型风机、水泵、压缩机和输送设备。在可再生能源系统中，该模块被广泛应用于光伏逆变器和风力发电变流器，负责将直流电高效转换为并网交流电，其低损耗特性有助于提升整体发电效率。在不间断电源（UPS）系统中，IRKH430/20用于DC/AC逆变级，在市电中断时快速切换并提供稳定输出，保障关键负载的连续供电。此外，该模块也适用于感应加热电源，如金属熔炼、热处理和电磁炉等，利用其高频开关能力实现高效的能量传递。在电动汽车基础设施方面，IRKH430/20可用于直流快充桩的功率转换级，支持高功率充电需求。其他潜在应用还包括电焊机、有源滤波器（APF）、静态无功补偿装置（SVC）以及储能系统中的双向变流器。凭借其高可靠性和宽温度适应性，IRKH430/20尤其适合部署在恶劣环境下的工业设备中。

IKP40N120CS5
　　FF400R12KE4
　　IXYS IXGN430B120HV