IRKH330/16 时间：2025/12/26 21:12:14 阅读：13

IRKH330/16是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场截止技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种电源转换和电机控制场合。IRKH330/16工作在高压环境下，能够承受高达650V的漏源击穿电压，适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统及LED照明驱动等对可靠性要求较高的场景。其封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，便于集成到各种大功率模块中。此外，该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和dv/dt鲁棒性，能够在瞬态过压和高温条件下稳定运行，提升系统整体的安全性和寿命。
　　由于采用了优化的硅片设计，IRKH330/16在保持高性能的同时降低了门极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少开关损耗，提高能效。器件符合RoHS标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在恶劣环境下的长期可靠性得到了验证。对于需要高效、可靠且耐久的功率开关解决方案的应用来说，IRKH330/16是一个理想选择。

参数

型号：IRKH330/16
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大漏极电流（ID）：30 A（连续）
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.085 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　最大栅源电压（VGS max）：±20 V
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　输入电容（Ciss）：典型值 2900 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 190 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 34 ns
　　封装类型：TO-247

特性

IRKH330/16具备多项关键特性，使其在中高压功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为85mΩ，在同类650V器件中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于高频开关电源尤为重要，因为低RDS(on)意味着更少的I2R损耗，有助于实现紧凑型散热设计并延长设备使用寿命。
　　其次，该器件采用英飞凌成熟的Superjunction（超结）结构技术，实现了垂直电场分布的优化，使得在维持高击穿电压的同时大幅减小芯片尺寸，进而降低寄生电容和动态损耗。这种结构还提升了器件的dv/dt抗扰能力，避免因快速电压变化引发误触发或振荡，增强了系统在复杂电磁环境中的稳定性。
　　第三，IRKH330/16具有较低的总门极电荷（Qg），典型值约为70nC，这直接减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，并允许使用更小的栅极驱动器，简化外围电路设计。同时，其输出电容Coss较小，进一步削弱了关断过程中的能量损耗，有利于提升开关频率至数十kHz甚至更高，满足现代高效电源对高频化的需求。
　　第四，该MOSFET具备出色的抗雪崩能力，支持单脉冲和重复雪崩能量测试，能够在负载突变或短路等异常工况下吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的故障容忍度。结合宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），即使在极端温度环境下也能保持稳定性能。
　　最后，TO-247封装提供了优良的热传导路径，确保热量能够迅速从芯片传递至散热器，防止局部过热导致性能下降或失效。综合以上特性，IRKH330/16不仅适用于常规工业电源，还能胜任车载充电机、光伏逆变器、UPS不间断电源等对安全性和长期可靠性有严苛要求的应用场景。

应用

IRKH330/16广泛应用于各类高效率电力电子系统中。主要应用领域包括工业开关电源（SMPS），特别是在PFC（功率因数校正）升压变换器阶段，利用其高耐压和低导通损耗特性，显著提升电源的整体效率；太阳能光伏逆变器中作为DC-AC转换桥臂开关元件，支持高效能量转换并适应宽输入电压范围；电动汽车车载充电机（OBC）内部的主功率拓扑，如LLC谐振变换器或图腾柱PFC电路，得益于其高频响应能力和热稳定性；此外，也常用于大功率LED照明驱动电源、服务器电源模块、电信整流器以及UPS不间断电源系统。
　　在电机驱动方面，IRKH330/16可用于中小型交流变频器或伺服驱动器中的功率级开关，配合合适的驱动保护电路可实现精确的电机调速与控制。由于通过AEC-Q101车规认证，该器件也被认可用于部分车载非牵引类应用，如辅助电源系统或高压附件控制模块。其高dv/dt抗扰性和抗雪崩能力使其在存在感性负载切换的环境中表现出色，有效防止误触发和器件损坏。
　　另外，在高密度电源设计中，工程师倾向于选用此类低Qg、低Coss的MOSFET以支持更高的开关频率，从而减小磁性元件体积，实现小型化目标。因此，IRKH330/16也成为许多先进数字电源和模块化电源架构中的优选器件。无论是固定安装式设备还是移动式能源系统，只要涉及600V级别以上的直流母线电压转换，该MOSFET都能提供可靠且高效的解决方案。