IRKH210/08 时间：2025/12/26 21:07:09 阅读：14

IRKH210/08 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchStop 技术制造，专为高效率开关电源应用设计。该器件结合了低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，能够在高频开关条件下实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。IRKH210/08 的封装形式为 TO-220AB，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业电源、太阳能逆变器、电机驱动以及不间断电源（UPS）等对可靠性要求较高的场合使用。其额定电压为 650V，最大连续漏极电流可达 10A（在 25°C 下），能够承受瞬态过载和高温工作环境。此外，该器件具有增强的雪崩能量耐受能力，提高了在恶劣工况下的鲁棒性。IRKH210/08 还通过了 AEC-Q101 认证，表明其符合汽车级元器件的可靠性标准，因此也可用于车载充电系统或电动汽车相关电力电子设备中。器件的引脚配置符合标准 TO-220 封装规范，便于在现有电路设计中替换同类产品，并支持通孔安装方式，适用于多种 PCB 布局需求。

参数

型号：IRKH210/08
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏极电流（ID）@25°C：10A
　　漏极电流（ID）@100°C：5.2A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.21Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=15V：0.18Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　总耗散功率（Ptot）：100W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-220AB

特性

IRKH210/08 采用英飞凌独有的 TrenchStop 5 技术，这项技术通过优化沟道和漂移区的结构设计，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻和开关损耗。这种先进的工艺使得器件在硬开关和软开关拓扑中均表现出优异的能效特性，特别适用于连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路和 LLC 谐振转换器等高频应用场景。器件的动态性能经过精心调校，栅极电荷（Qg）低至约 47nC（典型值），这有助于减少驱动电路的功耗并提升系统的开关频率上限。同时，输出电容（Coss）和反向恢复电荷（Qrr）也得到了有效控制，降低了关断过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。
　　该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性，得益于其优化的芯片贴装工艺和高导热封装材料，能够有效将芯片热量传导至散热器，防止局部过热导致的性能退化或失效。此外，IRKH210/08 具有较高的抗雪崩能力，意味着其在遭遇电压突变或负载突变时仍能维持正常工作而不发生永久性损坏，这对于工业和汽车应用至关重要。器件还具备良好的 dv/dt 和 di/dt 抗扰度，能够在复杂电磁环境中稳定运行。由于其符合 RoHS 标准且不含卤素，IRKH210/08 满足现代绿色电子产品对环保的要求。综合来看，这款 MOSFET 在性能、可靠性和环保方面达到了良好平衡，是中高功率开关电源设计中的理想选择之一。

应用

IRKH210/08 广泛应用于各类高效率电力电子系统中，尤其适用于需要高电压阻断能力和低导通损耗的场合。典型应用包括工业用开关模式电源（SMPS），如服务器电源、电信整流器和工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。在可再生能源领域，该器件常用于太阳能光伏逆变器的直流侧开关单元，承担能量转换和最大功率点跟踪（MPPT）功能，其高耐压和低损耗特性有助于提高发电效率。此外，它也被广泛用于不间断电源（UPS）系统中，作为主逆变器或升压级的核心开关元件，确保在市电中断时能够快速响应并提供稳定输出。在电机驱动应用中，IRKH210/08 可用于中小功率交流驱动器或直流无刷电机控制器中，实现高效的电能调节与控制。由于其通过 AEC-Q101 认证，该器件还可应用于车载充电机（OBC）、DC-DC 车载变换器等汽车电子系统中，满足严苛的温度循环、振动和寿命测试要求。此外，家用电器如高端空调、洗衣机变频模块中也有其身影，助力家电产品实现节能降耗目标。无论是在工业、能源、交通还是消费类电子领域，IRKH210/08 都展现了出色的适应性和稳定性。