型号：IRKH196-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：195A
　　脉冲漏极电流（IDM）：780A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.95mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：1.35mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：83nC
　　输入电容（Ciss）：5300pF
　　开启延迟时间（td(on)）：13ns
　　关断延迟时间（td(off)）：34ns
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DirectFET? LF
　　安装方式：表面贴装（SMD）

IRKH196-04采用英飞凌先进的沟槽栅极与场截止技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能，使其在高频率、大电流的电源系统中表现出色。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为0.95mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。器件的栅极电荷（Qg）低至83nC，有助于减少驱动电路的功耗，特别适合用于高频PWM控制的DC-DC转换器中，如VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源设计。此外，该MOSFET具有较低的输出电容（Coss）和输入电容（Ciss），减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。
　　DirectFET? LF封装是该器件的一大亮点，采用顶部散热设计，通过PCB上的金属焊盘实现高效热传导，有效降低热阻（Rth）。这种封装结构不仅减小了寄生电感，还增强了抗电磁干扰能力，使器件在高dv/dt环境下仍能稳定工作。同时，其低剖面设计有利于实现紧凑型电源模块布局，满足现代电子设备对小型化和高功率密度的需求。IRKH196-04还具备良好的雪崩耐受能力和短路鲁棒性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持可靠运行，适用于工业自动化、电信基础设施和车载信息娱乐系统等对可靠性要求较高的领域。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保其在极端温度条件下仍能维持稳定性能，适用于高温环境下的长期运行。其栅源电压额定值为±20V，具备一定的过压保护能力，配合适当的驱动电路可避免栅极击穿风险。此外，IRKH196-04的反向恢复时间较短（trr=28ns），体二极管性能优越，适用于需要快速续流的同步整流拓扑，有效减少反向恢复损耗和电压尖峰，提升系统效率与稳定性。综合来看，IRKH196-04是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求极致效率与空间利用率的先进电源设计方案。

IRKH196-04广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中，尤其适合用于同步降压转换器中的主开关与同步整流器，常见于服务器主板的VRM（电压调节模块）、图形处理器（GPU）供电单元以及多相数字电源设计。由于其极低的RDS(on)和优异的热管理能力，该器件也常被用于大电流DC-DC变换器、电池管理系统（BMS）、电动工具电源模块以及工业电机驱动电路中。此外，在电信设备、网络交换机和基站电源等通信基础设施中，IRKH196-04可用于实现高效的中间总线转换（IBC）和负载点（POL）电源方案。其高电流承载能力和快速开关特性也使其适用于车载电子系统，如ADAS控制器、车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，满足汽车级应用对可靠性和耐温性的严格要求。在消费类高端电子产品中，如游戏主机、高性能笔记本电脑电源管理单元中也有应用潜力。

IRLH196-04
　　IRLS196-04
　　BSC196N