IRKH170/14 时间：2025/12/26 21:02:15 阅读：18

IRKH170/14是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，相较于传统的硅基二极管，具有更低的正向压降、更高的热导率以及更强的抗辐射能力。IRKH170/14属于650V耐压等级的肖特基二极管，适用于需要高效能功率转换的电源系统。其主要优势在于能够显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率并减少散热需求。该器件广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及高密度DC-DC转换器等场景。IRKH170/14采用TO-220封装，具备良好的热性能和机械稳定性，便于安装在标准散热器上，适合中等功率级别的应用。此外，该器件无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗，极大提升了系统的动态响应能力和可靠性。由于其优异的高温工作能力，IRKH170/14可在高达175°C的结温下持续运行，适应严苛的工作环境。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650 V
　　平均正向电流（IF(AV)）：17 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180 A
　　正向电压（VF）：典型值1.65 V（在17A, TJ=25°C）
　　漏电流（IR）：最大300 μA（在650V, TJ=150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：TO-220
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）

特性

IRKH170/14的核心特性之一是其基于碳化硅（SiC）材料的半导体结构，这使得它在电气性能和热管理方面远超传统硅基二极管。首先，该器件具备零反向恢复电荷（Qrr = 0），这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而避免了由此引起的电磁干扰（EMI）和开关损耗增加问题。这一特性使其特别适用于高频开关电源拓扑，如LLC谐振转换器、有源钳位反激式变换器以及图腾柱PFC电路。其次，IRKH170/14具有极低的正向导通压降，在额定电流17A条件下，典型VF仅为1.65V，有效降低了导通损耗，提高了系统能效。同时，得益于碳化硅材料的宽带隙特性，该器件能够在高达175°C的结温下稳定运行，展现出卓越的高温可靠性，减少了对外部冷却系统的依赖。
　　另一个关键优势是其出色的动态性能与长期稳定性。由于没有PN结和少子存储效应，IRKH170/14在关断时不会出现拖尾电流现象，进一步提升了开关速度和系统效率。此外，该器件对温度变化不敏感，其漏电流随温度上升的增长幅度远低于硅基快恢复二极管，确保在高温环境下仍能保持较低的静态功耗。TO-220封装不仅提供了良好的热传导路径，还兼容现有电源模块的设计标准，便于替换传统硅器件而无需重新设计PCB布局。总体而言，IRKH170/14通过结合碳化硅技术的优势，实现了更高效率、更小体积和更高可靠性的电源解决方案，满足现代电力电子系统对节能、紧凑和长寿命的需求。

应用

IRKH170/14因其优异的高频、高温和高效率特性，被广泛应用于多种先进的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，该器件常用于功率因数校正（PFC）级中的升压二极管，特别是在图腾柱PFC拓扑中，其零反向恢复特性可显著降低开关损耗，提高整体能效至98%以上。在太阳能光伏逆变器中，IRKH170/14可用于直流侧的防反接和能量回馈路径，利用其低VF和高耐压特性提升系统发电效率并延长设备寿命。在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的二次侧整流电路，支持高功率密度设计并减少热管理复杂度。
　　此外，IRKH170/14也常见于工业电机驱动、UPS不间断电源和高密度DC-DC转换器中，作为续流二极管或输出整流二极管使用。在这些应用中，其快速响应能力和高温稳定性有助于提升系统动态性能和可靠性。例如，在高频LLC谐振转换器中，该二极管可有效减少环流损耗和电压应力，提升轻载效率。同时，由于其无反向恢复行为，有助于降低EMI滤波器的成本和体积，简化EMC设计。对于需要长期连续运行的工业设备而言，IRKH170/14的长寿命和高鲁棒性使其成为理想选择。总之，该器件适用于所有追求高效率、小型化和高可靠性的现代电源系统，尤其适合替代传统硅快恢复二极管以实现系统升级。