型号：IRKH160-06
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大连续漏极电流（Id at 25°C）：160 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：320 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大功耗（Ptot）：500 W
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V, Id=80A）：26 mΩ
　　阈值电压（Vth min）：4.0 V
　　阈值电压（Vth max）：6.0 V
　　输入电容（Ciss）：9500 pF
　　输出电容（Coss）：560 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　二极管正向电压（Vf）：1.65 V
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +175 °C
　　封装形式：TO-247

IRKH160-06的核心优势在于其采用的TrenchStop? 5技术，这是一种基于深沟槽结构的先进MOSFET制造工艺，能够在保持高击穿电压的同时大幅降低导通电阻和寄生电容。这种设计使得器件在导通状态下表现出极低的Rds(on)，从而减少了I2R损耗，提升了能效表现。特别是在大电流应用中，低Rds(on)意味着更少的发热和更高的功率密度。同时，该技术还优化了载流子分布，降低了拖尾电流，显著改善了开关过程中的动态损耗。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg），典型值仅为270nC（@Vds=480V, Id=160A），这一特性对于高频开关应用至关重要。低Qg意味着驱动电路所需的驱动功率更低，不仅减少了驱动IC的负担，还能提高整个系统的转换效率。此外，较低的输入电容（Ciss）也使得MOSFET更容易被快速开启和关断，进一步缩短了开关过渡时间，抑制了开关过程中的电压应力和电磁干扰（EMI）。
　　IRKH160-06内置的体二极管具有快速反向恢复特性，反向恢复时间（trr）仅为45ns，且反向恢复电荷（Qrr）较小，这有效降低了在硬开关或零电压切换（ZVS）拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和额外损耗。这对于LLC谐振转换器、有源钳位反激等高端电源拓扑尤为重要，有助于提升系统效率并减少EMI滤波需求。
　　该器件具备优异的热稳定性与长期可靠性，经过严格的雪崩测试认证，能够承受单次和重复雪崩事件而不发生永久性损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端温度环境下的工业和汽车级应用。TO-247封装提供了优良的热阻性能（RthJC ≈ 0.35 K/W），配合合适的散热设计可确保在高负载条件下仍能维持安全工作温度。

IRKH160-06广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在工业领域，它常用于三相逆变器、伺服驱动器和变频器中作为主开关器件，利用其低导通损耗和高电流承载能力实现高效电机控制。在开关电源方面，该器件适用于大功率服务器电源、通信电源和工业SMPS中的主开关管或同步整流器，尤其适合图腾柱PFC（功率因数校正）拓扑结构，能够显著提升全负载范围内的能效表现。
　　在可再生能源系统中，IRKH160-06可用于光伏微型逆变器和组串式逆变器的DC-AC转换级，其高耐压能力和快速开关特性有助于提高最大功率点跟踪（MPPT）效率并降低系统损耗。此外，在电动汽车基础设施中，该器件可应用于车载充电机（OBC）和直流快充模块，满足高效率、高可靠性及紧凑设计的需求。
　　由于其出色的动态性能和热稳定性，IRKH160-06也适用于高频感应加热、焊接设备、UPS不间断电源以及高端数字电源模块等对开关速度和系统可靠性要求较高的场合。其TO-247封装便于安装与维护，适合需要模块化设计或并联使用的应用场景。

IKW160N65RH5