型号：IRKH132-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID) @25°C：90A
　　脉冲漏极电流(IDM)：360A
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=10V：1.3mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=4.5V：1.7mΩ
　　栅极电荷(Qg) @10V：45nC
　　输入电容(Ciss)：3300pF
　　开启延迟时间(td(on))：10ns
　　关断延迟时间(td(off))：25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：PG-TSDSON-8 (SuperSO8)

IRKH132-04的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡。在VGS=10V条件下，其典型RDS(on)仅为1.3mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景如服务器电源、笔记本电脑适配器和电池管理系统。同时，在VGS=4.5V时仍能保持1.7mΩ的低阻值，表明其具备良好的逻辑电平驱动兼容性，能够被3.3V或5V控制信号有效驱动，提升了系统的集成度和灵活性。
　　该器件采用了Infineon先进的Trench栅极技术，通过优化沟道结构和掺杂分布，实现了更高的载流子迁移率和更低的单位面积导通电阻。这种工艺不仅提高了器件的电流处理能力，还增强了其在高温环境下的稳定性。结合OptiMOS?的设计理念，IRKH132-04在开关过程中表现出较低的栅极电荷（Qg = 45nC @10V），从而减少了驱动电路所需的能量，并降低了开关损耗，特别适合用于高频PWM控制场合，如同步整流和多相降压变换器。
　　热管理方面，PG-TSDSON-8封装集成了裸露焊盘（exposed pad），可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至底层地平面，实现高效的热耗散。这种设计使得即使在高功率密度下运行，器件也能维持较低的工作温度，延长使用寿命并提高可靠性。此外，该封装尺寸小（约3mm x 3mm），有利于节省PCB空间，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　安全性和鲁棒性也是IRKH132-04的重要特性之一。其最大漏源电压为40V，额定工作结温可达+175°C，具备较强的过载和瞬态耐受能力。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的应用场景。同时，器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，表明其在工业、汽车电子等领域均具有可靠的应用前景。

IRKH132-04广泛应用于各类高效率、高频率的电源转换系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），尤其是在多相供电架构中作为上下桥臂开关使用，凭借其低RDS(on)和快速开关响应，可显著提升转换效率并减少发热。在笔记本电脑、台式机主板、图形处理器（GPU）和服务器电源模块中，该器件常用于核心电压调节模块（VRM），为高性能处理器提供稳定且高效的供电支持。
　　此外，IRKH132-04也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，利用其大电流承载能力和低功耗特性，实现对锂电池组的安全管理和能量高效传递。在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于无人机、电动工具和机器人等对功率密度要求较高的设备。
　　由于其支持逻辑电平驱动，IRKH132-04还可作为高端或低端负载开关，用于控制各种外设电源的通断，例如显示屏背光、USB端口供电或传感器模块供电，避免浪涌电流冲击并实现精确的电源管理策略。在汽车电子中，该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元及车身控制模块中的功率切换应用。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作范围，IRKH132-04同样适用于工业自动化、通信电源和消费类电子等多种严苛环境下的功率控制任务。

BSC132N04LS5

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