型号：IRKD56-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：130A
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS=10V：典型值 1.3mΩ，最大值 1.7mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V：典型值 2.1mΩ，最大值 2.8mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：约 9500pF
　　输出电容（Coss）：约 1400pF
　　反向恢复时间（trr）：约 35ns
　　栅极电荷（Qg）：约 100nC @ VGS=10V
　　封装类型：PG-HSOF-8
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C

IRKD56-04采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备卓越的电气性能和热稳定性。其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)最大仅为1.7mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，尤其适用于大电流、低电压的应用场景，如同步整流、电池管理系统和高电流负载开关。该器件的高电流承载能力（连续漏极电流可达130A）使其能够在短时间内承受高负载冲击，增强了系统的鲁棒性。其优化的栅极结构设计有效降低了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而减少了开关过程中的能量损耗，支持高频开关操作，适用于现代高频率DC-DC变换器和多相电压调节模块（VRM）。
　　此外，IRKD56-04具备出色的热性能，PG-HSOF-8封装通过底部散热焊盘将热量高效传导至PCB，提升了热循环耐久性和长期可靠性。该封装尺寸紧凑，节省空间，适合高密度布局。器件还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和浪涌电流，提升了在恶劣工况下的耐用性。其体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了开关节点的电压振铃和电磁干扰（EMI），有利于提升系统EMI性能。所有这些特性共同使IRKD56-04成为高性能电源系统中理想的功率开关元件。

IRKD56-04广泛应用于需要高效率、高电流密度和高可靠性的电源系统中。典型应用包括服务器和通信设备中的多相降压转换器（Buck Converter），用于CPU或GPU供电的VRM模块，其中多个MOSFET并联工作以提供数十甚至上百安培的电流输出。它也适用于大功率DC-DC转换器、POL（Point-of-Load）稳压器、电池管理系统（BMS）中的主开关或均衡电路，以及电动工具、无人机和电动自行车等电动设备的电机驱动电路。由于其优异的热性能和紧凑封装，该器件特别适合空间受限但功率需求高的便携式或嵌入式系统。此外，在工业自动化设备、PLC电源模块、LED驱动电源和太阳能逆变器中也有广泛应用。其高频率开关能力使其能够与先进的数字控制器配合使用，实现高动态响应和精确的电压调节。在汽车电子领域，虽然非车规级，但在部分辅助电源系统或车载充电器中也可作为通用功率开关使用。总体而言，IRKD56-04凭借其低RDS(on)、高电流和良好热管理能力，成为现代高效能开关电源设计中的关键组件。

IRLHS56-04, IRLD56-04, IPD56-04, IRFH56-04PBF