类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：100W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　输入电容（Ciss）：4300pF @ VDS=40V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　封装：PG-HSOF-8

IRKD320-08采用了英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构能够在保持高击穿电压的同时显著降低导通电阻，从而减少导通损耗并提高整体能效。其典型的RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类80V N沟道MOSFET中处于领先水平，尤其适合大电流应用场景。该器件的低RDS(on)不仅提升了效率，还有助于减小散热器尺寸或简化热管理设计，进而降低系统成本和体积。此外，由于采用了优化的芯片布局和封装技术，IRKD320-08在高频开关条件下仍能保持稳定的性能表现，有效抑制了寄生参数带来的负面影响。
　　该MOSFET具备出色的动态特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这使得它在高频DC-DC变换器和同步整流电路中具有显著优势。低Qg意味着驱动电路所需提供的电流更小，可以使用更低功耗的驱动器，从而进一步提高系统效率；而低Qoss则减少了关断过程中的能量损耗，特别是在硬开关拓扑中效果明显。此外，器件的体二极管具有较快的反向恢复速度（trr约为28ns），可有效降低反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性和EMC性能。
　　IRKD320-08通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在极端温度循环、湿度、机械振动等恶劣环境下仍能稳定工作。这一特性使其非常适合用于汽车动力总成、辅助驾驶系统和车载电源等关键应用。同时，器件内部结构经过优化，具备较高的雪崩能量耐受能力（EAS），在负载突变或短路故障期间能够吸收更多的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。此外，PG-HSOF-8封装采用底部裸露焊盘设计，便于PCB上实现良好的热传导路径，进一步提升散热效率。综合来看，IRKD320-08在性能、可靠性和集成度方面达到了高度平衡，是现代高密度电源系统中的理想选择之一。

IRKD320-08广泛应用于需要高效、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括车载充电机（OBC）、48V/12V双向DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、电子涡轮增压器、电池管理系统（BMS）以及工业用电机驱动器。在新能源汽车领域，该器件常被用于主驱逆变器之外的辅助电源系统，如DC-DC模块中的同步整流开关，以实现高效的能量转换。其低导通电阻和优良的热性能使其能够在持续大电流工况下长时间稳定运行，满足汽车级应用对寿命和安全性的严苛要求。
　　在工业电源领域，IRKD320-08可用于服务器电源、电信整流器、UPS不间断电源等设备中的初级或次级开关元件。其高频开关能力和低损耗特性有助于提升电源的整体效率，符合能源之星和80 PLUS等能效标准的要求。此外，在太阳能微逆变器和储能系统中，该MOSFET也可作为关键开关器件参与MPPT控制和能量回馈过程。由于支持并联使用且参数一致性好，多颗IRKD320-08可并联以承载更高电流，适用于千瓦级以下的中小功率变换器设计。
　　在消费类高端电源产品中，例如大功率笔记本适配器、游戏主机电源等，IRKD320-08同样具备竞争力。其小型化封装有助于缩小PCB面积，同时维持良好的散热能力，适应便携式设备对轻薄化的需求。此外，该器件还可用于各类电机控制板，如无人机电调、电动工具控制器等，凭借快速响应和低损耗特点，提升电机系统的动态响应速度和续航能力。总之，IRKD320-08凭借其卓越的电气性能和广泛的适用性，已成为多个行业高端电源设计中的优选功率开关器件。

IRLHS320-08PbF
　　IPD95R040C6
　　SQJQ380E-T1_GE3