型号：IRKD320-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：20A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：60A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：4.7mΩ（@VGS=10V, ID=10A）
　　导通电阻RDS(on)：5.3mΩ（@VGS=4.5V, ID=10A）
　　栅极电荷Qg：19nC（@VGS=10V）
　　输入电容Ciss：910pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间trr：27ns
　　开启延迟时间td(on)：10ns
　　关断延迟时间td(off)：24ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-TSDSON-8 (TSDSON-8)

IRKD320-04具备优异的导通性能和开关速度，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为4.7mΩ，显著降低了大电流条件下的功率损耗，提升了系统效率。这种低RDS(on)特性得益于Infineon先进的沟道工艺与场截止结构设计，使得单位面积内可承载更高的电流密度，同时抑制了短沟道效应带来的漏电流问题。该器件在VGS=4.5V时仍能保持5.3mΩ的低导通电阻，表明其在低电压驱动条件下依然具备出色的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由微控制器GPIO引脚控制的开关电路。
　　除了低导通损耗外，IRKD320-04还具备优良的开关特性。其栅极电荷Qg仅为19nC，在高频PWM控制中可以有效降低驱动功耗，减少开关过渡时间，从而减小开关过程中的能量损耗。输入电容Ciss为910pF，配合较低的驱动电压即可实现快速充放电，进一步提升了动态响应能力。这对于需要频繁启停的电源转换系统（如同步整流DC-DC变换器）尤为重要。此外，反向恢复时间trr为27ns，说明体二极管具有较快的恢复速度，减少了在感性负载切换过程中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提高了系统的稳定性与安全性。
　　该MOSFET采用TSDSON-8封装，尺寸紧凑（典型为3mm×3mm），便于在高密度PCB布局中使用。封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，实现高效散热。这使得IRKD320-04即使在较高环境温度下也能维持稳定工作。同时，器件具有良好的抗雪崩能力和过载承受能力，能够应对突发的电压浪涌或短路事件，延长使用寿命。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也使其适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。综合来看，IRKD320-04是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适合对效率、体积和热管理有严格要求的设计需求。

IRKD320-04广泛用于多种中低电压功率开关场合。典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器（Buck Converter），其中作为高边或低边开关使用，因其低RDS(on)和快速开关特性可显著提高转换效率，尤其适用于笔记本电脑、平板电脑及嵌入式系统的电源模块。在电池供电设备如移动电源、电动工具和便携式医疗仪器中，该器件可用于电源路径管理与负载开关控制，实现高效的能量传输与待机功耗优化。此外，在电机驱动电路中，IRKD320-04可作为H桥中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转与调速，其快速响应能力有助于实现精确的PWM调制控制。在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于恒流源开关调节，确保亮度稳定的同时减少发热。由于其封装小巧且支持回流焊工艺，也非常适用于自动化程度高的SMT生产线，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。其他潜在应用还包括热插拔控制器、电源多路复用器、逆变器模块以及各类消费类电子产品的电源管理系统。

IRLHS320-04PBF
　　BSC023N03NS