IRKD196-14 时间：2025/12/26 21:19:47 阅读：12

IRKD196-14是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于多种电源管理和功率转换场景。IRKD196-14的封装形式为PG-HSOF-8，是一种表面贴装型的小外形封装，适合自动化贴片生产，广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及计算机外围设备中。
　　这款MOSFET特别针对高频开关电源优化，在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等电路中表现出色。其额定电压为140V，能够承受较高的工作电压，同时保持良好的热稳定性和可靠性。器件内部结构经过优化，减少了寄生电容和电感，从而降低了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，IRKD196-14符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品的环保要求。
　　由于采用了高性能硅材料和先进的制造工艺，IRKD196-14在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，最大结温可达150°C，适合在较为严苛的工作条件下长期运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，增强了系统的鲁棒性。对于需要紧凑设计和高效能表现的应用，IRKD196-14是一个理想的选择。

参数

型号：IRKD196-14
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：140V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：8.6A
　　脉冲漏极电流(IDM)：34A
　　导通电阻(RDS(on))：37mΩ @ VGS=10V, 30mΩ @ VGS=10V（典型值）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1170pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：260pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-HSOF-8

特性

IRKD196-14具备出色的导通特性和开关性能，其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时典型值仅为30mΩ，最大值为37mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。这一特性尤其适用于大电流应用场景，如同步整流、负载开关和电池管理系统，有助于减少发热并提高能量利用率。器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了载流子迁移路径，进一步增强了电流处理能力。
　　该MOSFET具有优良的开关速度，输入电容（Ciss）为1170pF，输出电容（Coss）为260pF，在高频操作下仍能保持较低的开关损耗。其反向恢复时间（trr）为28ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，这对于防止桥式电路中的直通电流至关重要，尤其是在半桥或全桥拓扑中表现突出。此外，较短的关断延迟时间使得器件更适合用于高频PWM控制应用，如DC-DC变换器和LED驱动电源。
　　热稳定性方面，IRKD196-14的最大工作结温达到+150°C，并配备有高效的散热设计，通过底部暴露焊盘可有效将热量传导至PCB，提升整体散热效率。封装采用PG-HSOF-8小型化设计，节省空间的同时支持自动回流焊接，适用于高密度组装环境。该器件还具备良好的抗噪声能力和栅极氧化层可靠性，能承受±20V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的误触发或损坏。
　　安全性与可靠性方面，IRKD196-14通过了严格的质量认证，具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下维持正常工作而不发生永久性损伤。其阈值电压范围为2.0V~3.0V，确保在逻辑电平驱动下可靠开启，兼容常见的3.3V或5V驱动电路。综合来看，该器件在性能、尺寸、效率和可靠性之间实现了良好平衡，是中压功率开关应用的理想选择。

应用

IRKD196-14广泛应用于各类中等电压、中等电流的功率开关场合。典型应用包括DC-DC升压/降压转换器，特别是在非隔离式Buck和Boost电路中作为主开关或同步整流管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在电源管理系统中，它常被用作负载开关，用于控制不同模块的供电通断，实现节能和热管理功能。
　　该器件也适用于电机驱动电路，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动，其快速响应能力和高电流承载能力可确保电机平稳启动和精确控制。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电源适配器、USB PD充电器等，IRKD196-14可用于次级侧整流或电源路径管理，提高整体能效比。
　　此外，在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC模块、传感器供电单元、继电器替代方案等需要高可靠性和紧凑设计的场合。通信设备中的板载电源（POL, Point-of-Load）也常采用此类高性能MOSFET进行电压调节。得益于其符合RoHS标准且具备良好热性能，IRKD196-14同样适用于对环保和长期稳定性要求较高的嵌入式系统和网络设备中。