型号：IRKD105-12
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　极性：N-Channel
　　击穿电压 V(BR)DSS：1200 V
　　连续漏极电流 ID @ 25°C：10.5 A
　　最大漏源导通电阻 RDS(on) @ 10V VGS：105 mΩ
　　最大漏源导通电阻 RDS(on) @ 18V VGS：95 mΩ
　　栅极电荷 Qg 典型值：160 nC
　　输入电容 Ciss 典型值：2900 pF
　　开启延迟时间 td(on)：35 ns
　　关断延迟时间 td(off)：55 ns
　　反向恢复时间 trr：37 ns
　　工作结温范围：-55 °C to +150 °C
　　封装/外壳：TO-247-3

IRKD105-12采用了英飞凌先进的CoolMOS? CFD2技术平台，这是一种基于超结（Superjunction）架构的高压MOSFET设计，显著改善了传统硅基器件在高电压应用中的性能瓶颈。该技术通过精确控制P柱和N柱的掺杂分布，实现了更低的单位面积导通电阻（RDS(on)*A），从而在保持1200V高耐压的同时大幅降低导通损耗。这种结构不仅提高了能效，还允许器件在更高频率下工作而不会因过热导致性能下降。同时，CoolMOS? CFD2技术增强了器件的鲁棒性，具备更高的单脉冲雪崩能量（EAS）能力，使其在遭遇意外过压或短路事件时仍能维持完整性，适合用于对可靠性要求极高的工业环境。
　　该器件的动态特性经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这直接减少了驱动电路所需的功率，并降低了开关过程中的能量损耗。这对于提高开关电源的整体效率至关重要，尤其是在LLC谐振转换器、图腾柱PFC（功率因数校正）等高频拓扑中表现尤为突出。此外，IRKD105-12拥有较快的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），其体二极管性能优于同类产品，有助于减少续流期间的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。其TO-247-3封装具有优良的热传导性能，可通过外部散热器有效导出热量，确保长时间高负载运行下的稳定性。
　　IRKD105-12还具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内（-55°C至+150°C）仍能保持一致的电气性能。其阈值电压（Vth）随温度变化较小，避免了高温下误触发的风险。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证的部分测试项目，虽然主要用于工业而非汽车级应用，但其质量控制体系严格，批次一致性好。总体而言，IRKD105-12是一款面向高效能、高可靠性的高压电源系统的理想选择，特别适用于需要长期稳定运行且空间受限的设计场景。

IRKD105-12广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。典型用途包括工业开关电源（SMPS）、服务器电源单元（PSU）、电信整流器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、储能系统（ESS）以及电机驱动控制器。由于其1200V的高击穿电压和优异的开关特性，该器件非常适合用于单相和三相逆变器拓扑，如两电平和三电平NPC（中点钳位）结构，在太阳能发电系统中实现高效的直流到交流转换。此外，它也常被用于高功率密度的DC-DC变换器，特别是在车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中作为主开关管使用。
　　在照明领域，IRKD105-12可用于驱动高强度气体放电灯（HID）或LED路灯电源，提供稳定的高压输出和长寿命运行保障。在工业自动化设备中，例如变频器和伺服驱动器，该器件可用于PWM调制控制，实现精准的电机速度调节。得益于其良好的热管理和抗干扰能力，IRKD105-12也可部署于恶劣环境下的户外设备中，如风力发电变流器或电网侧补偿装置。此外，科研仪器、医疗电源以及测试测量设备中对电源纯净度和稳定性的高要求，也使其成为优选器件之一。

IKW105-1200-4