IRHNA67260 时间：2025/12/26 20:22:45 阅读：11

IRHNA67260是一款由Infineon Technologies推出的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高效率、高功率密度的工业和能源应用设计。该器件结合了先进的IGBT芯片技术与优化的封装工艺，适用于逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及感应加热等中高功率场合。IRHNA67260采用第六代TrenchStop? IGBT技术，具备低导通压降和软开关特性，有效降低开关损耗并提升系统整体能效。其紧凑的模块封装支持便捷的散热设计与PCB安装方式，适合对空间和热管理有严格要求的应用场景。此外，该模块内置负温度系数（NTC）热敏电阻，可用于实时监控模块内部温度，增强系统的可靠性和安全性。IRHNA67260的工作电压等级为650V，额定电流可达260A，能够在高温环境下稳定运行，是工业自动化与可再生能源系统中的理想功率开关元件。

参数

型号：IRHNA67260
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压 VCES：650 V
　　集电极电流 IC @ 25°C：260 A
　　集电极电流 IC @ 100°C：160 A
　　最大结温 Tj：150 °C
　　阈值电压 VGE(th)：典型值 6.3 V
　　导通压降 VCE(sat) @ 25°C：典型值 1.7 V
　　开关频率：最高可达 50 kHz
　　封装形式：EasyPACK?
　　通道数：半桥（Half-Bridge）
　　是否含NTC：是

特性

IRHNA67260采用Infineon领先的第六代TrenchStop? IGBT芯片技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，同时提升了电流处理能力与热稳定性。其独特的沟道结构设计优化了载流子分布，使VCE(sat)在额定工作条件下保持在较低水平，从而减少功率损耗并提高系统效率。该模块具备优异的开关性能，在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性，且关断过程中的电流拖尾现象明显减弱，有助于降低电磁干扰（EMI）。器件的反并联二极管也经过特别优化，具有快速恢复能力和低反向恢复电荷（Qrr），进一步提升了整体能效。
　　该模块采用EasyPACK?封装技术，具有高度集成化、小型化和良好热传导性能的优点。这种封装不仅简化了散热器安装流程，还通过优化内部引线布局降低了寄生电感，提高了模块在高di/dt条件下的可靠性。模块底部为绝缘基板，便于直接安装于散热器上，实现高效热传导。内置的NTC温度传感器可实时监测芯片结温，为控制系统提供反馈信号以实施过温保护或调节输出功率，从而延长器件寿命并确保系统安全运行。
　　IRHNA67260具备出色的短路耐受能力，可在规定时间内承受过流冲击而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其电气隔离性能优良，符合国际安全标准，适用于多种工业环境。此外，该模块支持并联使用，便于构建更高功率等级的系统解决方案。整体设计兼顾了高性能、高可靠性和易用性，广泛应用于伺服驱动器、光伏逆变器、UPS电源及工业电机控制等领域。