IRGS15B60K 时间：2025/12/26 20:46:24 阅读：13

IRGS15B60K是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅和场截止技术制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在TO-220FP或类似功率封装中，具备优良的散热性能，适用于多种电源转换场景。IRGS15B60K具有600V的漏源击穿电压（V(BR)DSS），能够承受较高的电压应力，适合用于离线式开关电源、AC-DC转换器以及电机驱动等工业与消费类电子设备中。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统整体能效。此外，该MOSFET具备快速开关能力，支持高频操作，从而允许使用更小的外围无源元件，减小系统体积。器件内部集成了快速恢复体二极管，可满足反向电流续流需求，在硬开关和部分软开关拓扑中表现良好。IRGS15B60K还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极结构，提升了系统在异常工况下的可靠性。由于其优异的热稳定性和电气特性，该器件广泛应用于LED照明电源、适配器、充电器、光伏逆变器以及小型不间断电源（UPS）等场合。

参数

型号：IRGS15B60K
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压V(BR)DSS：600 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：15 A
　　脉冲漏极电流IDM：60 A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：0.85 Ω
　　导通电阻RDS(on)（typ @ VGS=10V）：0.7 Ω
　　阈值电压VGS(th)（典型值）：3.0 V
　　输入电容Ciss（典型值）：1050 pF
　　输出电容Coss（典型值）：290 pF
　　反向恢复时间trr（典型值）：65 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220FP

特性

IRGS15B60K采用英飞凌成熟的高压MOSFET工艺，具备出色的电气和热性能，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。其600V的漏源击穿电压使其非常适合用于全球通用输入电压范围（85–265V AC）的离线式电源系统。器件的低导通电阻RDS(on)最大为0.85Ω，在10V栅极驱动下显著降低了导通损耗，尤其在中等负载条件下提升效率。该MOSFET的栅极电荷Qg较低，典型值约为45nC，有助于减少驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率，从而缩小磁性元件和电容的尺寸，实现更高功率密度的设计。
　　该器件的开关特性经过优化，具有较快的上升和下降时间，同时控制了开关过程中的电压和电流过冲，降低了电磁干扰（EMI）风险。其体二极管具备较短的反向恢复时间（trr ≈ 65ns），可有效减少反向恢复电荷（Qrr），避免在桥式或连续导通模式（CCM）PFC电路中产生严重的二次击穿问题。此外，IRGS15B60K具备良好的热阻特性，TO-220FP封装的热阻RθJC（结到外壳）约为1.0 °C/W，配合合适的散热片可有效管理温升，确保长期可靠运行。
　　在可靠性方面，该MOSFET通过了严格的质量认证，符合工业级标准，具备高抗雪崩能量能力（EAS），可在瞬态过压或感性负载切换时保护器件不被损坏。其栅极氧化层设计坚固，耐受±30V的栅源电压，防止因驱动异常导致的栅极击穿。器件还具有正温度系数的漏极电流特性，有利于并联使用时的电流均衡。综合来看，IRGS15B60K在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源中的理想选择。

应用

IRGS15B60K广泛应用于各类中等功率电力电子系统中，尤其是在需要高效、紧凑设计的离线式开关电源中表现出色。常见应用包括AC-DC开关电源适配器、手机与笔记本电脑充电器、LED驱动电源以及家用电器中的辅助电源（如待机电源）。在这些应用中，该器件通常作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或有源钳位反激拓扑中，承担能量传递和电压变换功能。
　　此外，该MOSFET也适用于功率因数校正（PFC）电路，特别是在过渡模式（TM）或临界导通模式（BCM）PFC中，其快速开关特性和低Qg有助于提升PFC级效率并降低驱动损耗。在小型光伏微型逆变器和UPS系统中，IRGS15B60K可用于DC-DC升压或初级侧开关，实现高效的能量转换。其高耐压能力也使其适用于工业电机驱动中的低端开关或制动单元控制。
　　在照明领域，特别是大功率LED路灯或商业照明电源中，该器件可用于隔离式恒流驱动电路，提供稳定的输出电流。同时，由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，也适合在环境温度变化较大的户外或工业环境中长期运行。总之，IRGS15B60K凭借其高电压、中电流、低损耗和高可靠性的特点，成为多种中等功率电源拓扑中的关键元件。