IRGR4610D 时间：2025/12/26 21:24:26 阅读：9

IRGR4610D是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极和硅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的开关性能，适用于多种电源管理场景。IRGR4610D封装在小型化的DirectFET? 3.3mm x 3.3mm封装中，具备良好的热性能和空间利用率，适合对散热和PCB面积有严格要求的设计。这款MOSFET通常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等应用场合。其优化的栅极电荷与输出电容乘积（Qg × Coss）有助于降低开关损耗，从而提升整体能效。此外，该器件符合RoHS标准，支持绿色环保设计，并能在较宽的工作温度范围内稳定运行，增强了系统的可靠性和适应性。

参数

型号：IRGR4610D
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：21A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：84A
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS=10V, 10.5A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=4.5V, 9A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷(Qg)：25nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：1020pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：375pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET 3.3mm x 3.3mm
　　安装方式：表面贴装(SMD)

特性

IRGR4610D采用了英飞凌先进的沟道MOSFET技术，通过优化的晶圆制造工艺实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其核心优势在于低RDS(on)，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，尤其在大电流应用场景中表现突出。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为17mΩ，在VGS=4.5V时为22mΩ，表明其在低压驱动条件下仍能保持良好性能，兼容现代低电压控制IC的驱动能力。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为25nC，显著降低了驱动电路所需的能量，减少了开关过程中的延迟和功耗，使其非常适合高频开关电源设计，如多相VRM（电压调节模块）和同步降压转换器。同时，其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少开关瞬态过程中的振荡和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　DirectFET封装是IRGR4610D的关键设计亮点之一。该封装采用顶部散热结构，允许通过PCB上的铜层高效散热，热阻（RθJC）低至1.2°C/W，极大提升了功率密度。相比传统封装如SO-8或DPAK，DirectFET在相同占板面积下提供更优的热性能和电气性能，特别适合空间受限的高密度PCB布局。
　　此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和稳健的体二极管性能，能够承受一定的瞬态过压和反向电流冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在工业、汽车和通信设备等严苛环境下的长期可靠性。综合来看，IRGR4610D凭借其高性能参数、先进封装技术和高可靠性，成为中功率电源应用的理想选择。

应用

IRGR4610D广泛应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电源系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压转换器，特别是在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中作为高边或低边开关使用。其低导通电阻和快速开关特性可显著降低转换损耗，提升整体能效，满足现代电子产品对节能和散热的严苛要求。
　　在便携式电子设备如平板电脑、智能手机和移动电源中，该器件常用于电池管理系统中的负载开关或电源路径管理，实现高效的电源切换与保护功能。由于其支持低电压驱动（4.5V即可充分导通），可直接由逻辑信号或控制器驱动，简化了外围电路设计。
　　此外，IRGR4610D也适用于电机驱动电路，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，提供快速响应和低功耗运行。在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于恒流控制回路中的主开关，确保稳定的光输出和长寿命。
　　工业自动化设备、嵌入式系统和网络基础设施设备中的隔离式电源和非隔离式电源模块也大量采用此类高性能MOSFET。其DirectFET封装便于自动化贴片生产，提升了制造效率和一致性。总之，IRGR4610D凭借其综合性能优势，已成为中功率开关电源领域的重要元器件之一。