类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：22A
　　脉冲漏极电流(IDM)：88A
　　导通电阻(RDS(on))：12.8mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：16mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：2300pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：650pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：PG-HSOF-5

IRGPS4067D采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术和场截止（Field-Stop）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）类似的底层设计理念，尽管它本身是MOSFET器件，但其结构优化显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡。这种设计使得器件在保持低RDS(on)的同时，仍具备优异的开关速度和动态性能。其12.8mΩ的典型导通电阻在60V耐压等级中属于较低水平，有助于减少传导损耗，提升电源系统的整体能效。特别是在大电流应用场景下，如同步降压变换器或电机驱动桥式电路中，该特性可有效降低温升，延长系统寿命。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC（具体数值需参考数据手册），这使其非常适合用于高频开关电源设计，例如多相VRM（电压调节模块）或笔记本电脑适配器中的同步整流部分。低Qg意味着驱动损耗小，可以使用较小的驱动电路或集成驱动IC来控制，从而简化外围设计并降低成本。此外，输入电容和输出电容均经过优化，在高频操作时表现出良好的稳定性与可控性。
　　IRGPS4067D还具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感负载突变或短路瞬态，增强了系统的鲁棒性。其封装采用PG-HSOF-5，具有较大的裸焊盘（exposed pad），可通过PCB良好接地和散热，实现高效的热管理。这种表面贴装封装不仅节省空间，而且支持自动化生产，适用于现代高密度PCB布局。
　　另外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，在4.5V至10V的VGS范围内均可有效导通，尤其在4.5V下RDS(on)仅为16mΩ，表明其对低压控制器（如PWM控制器或MCU GPIO）有良好的兼容性。这对于电池供电设备或低电压DC-DC转换器尤为重要，确保在输入电压下降时仍能维持较低的导通损耗。综合来看，IRGPS4067D是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的高性能功率MOSFET，适用于多种中等电压、大电流的电力电子应用。

IRGPS4067D广泛应用于各类需要高效能、高频率开关操作的电力电子系统中。常见用途包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），尤其是在多相供电架构中作为下管（Low-Side MOSFET）使用，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率并降低热耗散。在笔记本电脑、服务器主板及图形处理器的电压调节模块（VRM）中，该器件能够满足核心处理器对动态响应和高电流密度的需求。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源模块以及便携式工业设备中的电机驱动电路。在H桥或半桥拓扑结构中，IRGPS4067D可用于驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和精确控制。由于其具备较高的脉冲电流能力（IDM达88A），在启动或过载瞬间仍能保持稳定工作，避免因电流冲击导致器件损坏。
　　在AC-DC电源的次级侧同步整流应用中，IRGPS4067D可替代传统肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提高整体电源效率，尤其适用于高能效标准（如80 PLUS认证）的电源产品。同时，其表面贴装封装有利于自动化生产和回流焊接，适合大规模制造环境。
　　其他应用还包括LED驱动电源、太阳能微逆变器、USB PD快充适配器以及电信设备的板载电源系统。由于其工作温度范围宽（最高结温达150°C），也可部署于高温工业环境中，如工业控制模块、PLC电源单元或嵌入式电源系统。总体而言，IRGPS4067D凭借其优异的电气性能和封装优势，成为现代高效电源设计中的关键元件之一。

IRLHS6067, IRLU6067, SQM60P03-EP, IPB060N04LG