IRG7SC12FPBF 时间：2025/12/26 21:03:47 阅读：13

IRG7SC12FPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET器件，属于OptiMOS系列。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛用于电源管理领域。其采用先进的沟槽栅极和超结技术，能够在低导通电阻（RDS(on)）与优异的开关性能之间实现良好平衡。这使得IRG7SC12FPBF在降低系统功耗、提高能效方面表现出色。该MOSFET为N沟道结构，适用于同步整流、DC-DC转换器、电机驱动以及工业电源等应用场景。封装形式为PG-TSDSO-8，具有较小的占位面积和良好的热性能，适合对空间和散热有要求的设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备抗雪崩能力，增强了系统可靠性。

参数

型号：IRG7SC12FPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：100 V
　　连续漏极电流ID：40 A
　　脉冲漏极电流IDM：160 A
　　栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：3.3 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：4.8 mΩ
　　栅极电荷Qg typ：49 nC
　　输入电容Ciss typ：3460 pF
　　开启延迟时间td(on) typ：10 ns
　　关断延迟时间td(off) typ：34 ns
　　反向恢复时间trr typ：33 ns
　　工作结温范围：-55 °C to +150 °C
　　封装/外壳：PG-TSDSO-8

特性

IRG7SC12FPBF基于Infineon先进的OptiMOS技术，采用了优化的沟道设计与超结结构，显著降低了导通损耗和开关损耗。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，尤其在高电流负载下仍能保持较低温升，有助于提升整体系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）经过优化，在高频开关应用中可有效减少驱动损耗和能量浪费，适用于现代高密度电源设计。其快速的开关响应能力确保了在硬开关和软开关拓扑中的稳定表现。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于PG-TSDSO-8封装的高效散热设计，能够将芯片产生的热量迅速传导至PCB，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。器件还具备良好的抗雪崩能力，可在瞬态过压或电感负载突变情况下提供一定程度的自我保护，避免因电压击穿导致永久性损坏。此外，其栅极阈值电压稳定，抗噪声能力强，减少了误触发的风险。
　　IRG7SC12FPBF在制造过程中遵循严格的品质控制流程，符合AEC-Q101等可靠性标准，适用于工业级和汽车级应用环境。器件无铅且符合RoHS指令，支持绿色环保生产。其小型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率。总体而言，该器件是高性能电源系统中理想的功率开关元件，尤其适用于追求高效率、高功率密度和高可靠性的设计需求。

应用

广泛应用于服务器电源、通信电源、笔记本电脑适配器、台式机VRM、DC-DC降压变换器、同步整流电路、电机控制模块、LED驱动电源以及工业自动化设备中的功率开关环节。此外，也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统等需要高效能MOSFET的场合。其高频特性使其特别适合使用在多相供电架构中，作为主控开关或同步整流开关使用。