时间：2025/5/8 8:33:50
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IRG4PH50SPBF是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等场景中。它具有低导通电阻和高效率的特点，能够满足多种功率电子设计需求。
该芯片通过优化的栅极电荷设计，可以实现快速开关，并且其较低的反向恢复电荷使其非常适合高频应用。此外，该器件还具备出色的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：7.5mΩ
栅极电荷（Qg）：28nC
反向恢复时间（trr）：35ns
工作结温范围：-55℃至175℃
IRG4PH50SPBF的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有效降低功率损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作。
3. 热稳定性好，适用于高温环境。
4. 高浪涌能力，确保在恶劣条件下的可靠性。
5. 小型化TO-263封装，节省PCB空间并简化散热设计。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特性使IRG4PH50SPBF成为高性能功率转换电路的理想选择。
IRG4PH50SPBF适合用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机控制和驱动
3. 通信设备中的电源模块
4. 工业自动化系统
5. 太阳能逆变器及储能系统
6. DC-DC转换器
凭借其卓越的电气性能和可靠性，该器件能够在各种复杂环境中提供稳定高效的解决方案。
IRL3704S, FDP5800
