IRG4PH50KD 时间：2025/12/26 18:29:05 阅读：20

IRG4PH50KD是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高压、高速绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高效率功率转换应用设计，特别是在大电流和高电压环境下表现出色。该器件采用先进的沟槽栅场截止（Trench-Field Stop）技术，结合优化的载流子注入特性，实现了低导通压降（Vce(sat)）与优异的开关性能之间的平衡。IRG4PH50KD封装在高度绝缘的TO-247功率封装中，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）、逆变器以及感应加热等高功率密度系统。该IGBT额定阻断电压为1200V，集电极连续电流可达36A，峰值电流高达72A，能够承受严苛的工作条件。此外，其内置的快速恢复二极管进一步提升了系统在高频开关下的效率与可靠性。器件的设计充分考虑了电磁兼容性（EMC）和热管理问题，确保在复杂电磁环境中的稳定运行。由于其出色的动态性能和坚固的结构设计，IRG4PH50KD广泛应用于需要高可靠性和长寿命的工业级电力电子设备中，是现代中高端功率变换系统的理想选择之一。

参数

型号：IRG4PH50KD
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：IGBT
　　最大集射极电压（Vces）：1200V
　　最大集电极电流（Ic）：36A
　　峰值集电极电流（Icm）：72A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20V
　　最大功耗（Ptot）：209W
　　导通饱和电压（Vce(sat) @ Ic=18A, Vge=15V）：2.15V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　开关速度：典型开通时间（ton）约 40ns，关断时间（toff）约 75ns
　　封装类型：TO-247

特性

IRG4PH50KD采用了英飞凌领先的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT技术，这种结构通过在硅片内部形成深沟槽栅极并结合场截止层，显著降低了导通损耗和尾电流，从而提高了整体能效。该技术使得器件在保持高击穿电压的同时，大幅减小了Vce(sat)，有助于降低功率损耗和温升，提升系统效率。其优化的载流子分布设计增强了电流处理能力，在高负载条件下仍能维持稳定的性能表现。器件具有优秀的开关特性，开通和关断过程快速且可控，减少了开关过渡期间的能量损耗，特别适合用于高频PWM控制的应用场景。同时，IRG4PH50KD具备较强的短路耐受能力，在规定的脉冲宽度内可承受一定的过流冲击，增强了系统的鲁棒性。其TO-247封装不仅提供了良好的散热路径，还具备较高的爬电距离和电气隔离性能，适用于高压应用场景。该封装形式便于安装在散热器上，有利于实现有效的热管理。此外，器件内部集成了一只快速恢复二极管（FRD），其反向恢复时间短、恢复软度好，有效抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了整个电路的稳定性。该二极管与IGBT协同工作，尤其在桥式拓扑结构中发挥重要作用，如三相逆变器或H桥驱动器。IRG4PH50KD还具备良好的温度系数特性，正温度系数的Vce(sat)使其在并联使用时易于实现均流，提高了多管并联设计的可行性和可靠性。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的质量认证，适用于工业级和部分严苛环境下的长期运行。
　　

应用

IRG4PH50KD广泛应用于各类高功率电力电子系统中，尤其适用于需要高效、高可靠性的工业与能源领域。在工业电机驱动系统中，该器件常被用作主逆变器中的开关元件，支持交流电机的精确调速与转矩控制，适用于泵、风机、传送带等自动化设备。在不间断电源（UPS）系统中，IRG4PH50KD用于DC-AC逆变级，将电池或直流母线电压高效转换为纯净的正弦波交流输出，保障关键负载的持续供电。在太阳能光伏逆变器中，它参与MPPT跟踪后的直流到交流转换过程，具备高效率和良好热稳定性的优势。此外，在感应加热设备如电磁炉、金属熔炼装置中，该IGBT可在数十kHz频率下稳定工作，满足高频谐振变换的需求。在开关模式电源（SMPS）尤其是大功率通信电源或服务器电源中，IRG4PH50KD可用于有源功率因数校正（PFC）级或主功率变换级，提高电能利用率并减少电网污染。其高耐压和强电流能力也使其适用于电动汽车充电基础设施中的部分功率转换模块，以及电焊机、医疗电源等特种电源设备。由于其具备良好的动态响应和抗干扰能力，该器件在复杂的电磁环境中依然能够稳定运行，因此在铁路牵引变流器、风力发电变流器等新能源和轨道交通领域也有潜在应用价值。
　　