集电极-发射极电压（Vces）：1200V
　　集电极电流（Ic）@25°C：43A
　　集电极电流（Ic）@100°C：21A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20V
　　功耗（Ptot）：265W
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　开关时间（ton/toff）：典型值分别为45ns/95ns
　　导通延迟时间（td(on)）：35ns
　　关断延迟时间（td(off)）：75ns
　　上升时间（tr）：45ns
　　下降时间（tf）：75ns
　　输入电容（Cies）：约2.2nF（Vce=600V, Vge=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coes）：约280pF
　　反向恢复时间（trr）：约35ns（二极管部分）
　　阈值电压（Vge(th)）：典型值5.5V，范围4.5~7.0V

IRG4PH40UD所采用的TrenchStop IGBT技术是其核心优势之一，该技术通过在硅片内部构建深沟槽结构来优化电场分布，显著降低了导通压降（Vce(sat)），从而减少导通损耗。在典型的125°C结温条件下，Vce(sat)约为2.1V，这使得器件在大电流工作状态下仍能保持较低的温升，提升系统整体效率。同时，该器件具备出色的开关速度，其开关损耗相比传统IGBT大幅降低，尤其在高频开关应用中展现出明显优势。集成的快速软恢复二极管具有低反向恢复电荷（Qrr）和低反向恢复电流（Irr）特性，有效抑制了换流过程中的电压尖峰和振荡，减少了对缓冲电路的依赖，并提升了系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　该IGBT具有良好的热稳定性，其正温度系数的Vce(sat)特性使得在多管并联应用中能够实现自然的电流均衡，避免了因局部过热导致的热失控问题，提高了系统可靠性。此外，器件具备较强的短路承受能力，可在规定的栅极电压下承受数微秒的短路事件而不发生永久性损坏，配合外部保护电路可实现有效的故障响应机制。TO-247封装提供了优良的散热路径，允许通过散热器将热量高效传导至外部环境，适用于高功率密度设计。器件还具备高绝缘电压能力，满足工业级安全标准，适用于接地系统复杂或存在高噪声干扰的工业场景。其引脚布局经过优化，减小了寄生电感，有利于提高开关瞬态过程中的电压稳定性。综合来看，IRG4PH40UD在性能、可靠性和易用性之间实现了良好平衡，是中高功率电力电子系统中的优选器件之一。

IRG4PH40UD广泛应用于各类需要高效、高可靠功率开关的电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于交流电机驱动器（如变频器）中作为主逆变桥的开关元件，支持宽调速范围和高动态响应控制。在可再生能源系统中，特别是在光伏（太阳能）并网逆变器中，该器件凭借其低损耗和高耐压特性，能够在DC-AC转换过程中实现高效率能量传输，适应不同光照条件下的最大功率点跟踪（MPPT）需求。此外，在不间断电源（UPS）系统中，IRG4PH40UD被用于逆变级和斩波级电路，确保市电中断时负载的连续供电，同时维持输出电压的稳定性和纯净度。
　　在感应加热设备（如电磁炉、金属熔炼装置）中，该IGBT可用于构建串联或并联谐振逆变器，实现高频交流电流的生成，从而在金属材料中产生涡流进行加热。其快速开关能力和集成二极管的软恢复特性有助于减少谐振回路中的能量损耗和电压应力。在开关模式电源（SMPS）中，特别是大功率通信电源或服务器电源中，IRG4PH40UD可用于有源功率因数校正（PFC）级或主功率变换级，提高输入功率因数并降低谐波污染。此外，该器件还可应用于电焊机、电动车辆充电装置、储能系统双向变流器等新兴领域。由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，即使在恶劣的电磁环境或高温工业环境中也能长期稳定运行，因此成为多种工业级电源产品的关键组件。

IKW40N120T2
　　FGA40N1200NTD
　　STGY40NC120KD