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IRG4PF50W 发布时间 时间:2025/10/28 9:25:38 查看 阅读:16

IRG4PF50W是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能功率MOSFET器件,属于第四代沟槽栅场截止型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)系列,广泛应用于中等功率的开关电源、逆变器、电机驱动和感应加热系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗与双极晶体管的低导通压降优势,具有出色的开关特性和导通性能。IRG4PF50W采用先进的TrenchStop? 4技术,优化了电场分布,提升了器件的可靠性和效率。其封装形式为TO-247,便于安装在散热器上,适用于高功率密度设计场景。该器件特别适合工作在硬开关或谐振拓扑结构中,如全桥或半桥变换器,能够在高达150kHz的频率下保持良好的热稳定性和电气性能。此外,IRG4PF50W内置反并联快速恢复二极管,进一步简化了电路设计,减少了外部元件数量,提高了系统的整体可靠性。

参数

型号:IRG4PF50W
  类型:IGBT
  集电极-发射极电压(Vces):600 V
  集电极电流(Ic @ 25°C):52 A
  集电极电流(Ic @ 100°C):26 A
  功耗(Ptot):209 W
  工作结温(Tj):-55 至 150 °C
  栅极-发射极电压(Vge):±20 V
  导通延迟时间(td(on)):35 ns
  上升时间(tr):85 ns
  关断延迟时间(td(off)):80 ns
  下降时间(tf):55 ns
  反向恢复时间(trr):46 ns
  反向恢复电荷(Qrr):85 nC
  导通饱和电压(Vce(sat) @ Ic=26A, Vge=15V):1.7 V
  输入电容(Ciss):4900 pF
  输出电容(Coss):1100 pF
  反向传输电容(Crss):110 pF

特性

IRG4PF50W采用TrenchStop? 4技术,显著降低了开关损耗和导通损耗,使其在高频应用中表现出色。其沟道设计优化了载流子分布,提升了电流密度,并有效抑制了拖尾电流现象,从而减少了关断过程中的能量损耗。该器件具备优异的短路耐受能力,典型值可达6μs,增强了系统在异常工况下的鲁棒性。通过精确控制掺杂浓度和结深,器件实现了更低的热阻,有助于提升长期运行的稳定性。其快速开关特性得益于低栅极电阻和优化的米勒电容设计,使得驱动电路更易匹配且响应更快。此外,集成的快速恢复二极管具有较低的反向恢复电荷(Qrr)和软恢复特性,可减少电磁干扰(EMI),避免电压尖峰对主开关管造成冲击。该二极管的正向压降也经过优化,在高温条件下仍能维持较低功耗。IRG4PF50W还具备良好的雪崩能量承受能力,符合工业级可靠性标准,适用于恶劣工作环境。器件的TO-247封装提供了优良的散热性能和机械强度,支持大电流通过,同时便于自动化装配。所有材料均符合RoHS环保要求,不含铅和有害物质,适用于绿色电子产品设计。
  该IGBT在温度循环测试和功率循环测试中表现出卓越的耐用性,确保在频繁启停或负载波动的应用中保持长寿命。其稳定的阈值电压(Vge(th))随温度变化小,有利于实现精确的门极驱动控制。由于其高度集成的设计理念,工程师可以在不牺牲性能的前提下简化外围电路,例如减少缓冲电路(snubber)的需求。此外,IRG4PF50W与其他同系列器件引脚兼容,便于产品升级或功率扩展时进行替换。制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,包括SPICE模型、热仿真数据和推荐的PCB布局建议,帮助用户快速完成设计验证。总体而言,这款器件代表了现代IGBT在效率、可靠性和集成度方面的先进水平,是中功率电力电子系统中的理想选择。

应用

IRG4PF50W广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适用于需要高效能和高可靠性的中等功率变换场合。在感应加热设备中,如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置,该器件常用于构建全桥或半桥谐振逆变器,利用其快速开关能力和低损耗特性实现高效的能量转换。在不间断电源(UPS)系统中,IRG4PF50W被用作DC-AC逆变级的核心开关元件,能够稳定输出正弦波电压,满足关键负载的供电需求。在太阳能光伏逆变器中,该器件可用于DC-DC升压或DC-AC逆变环节,特别是在组串式逆变器中发挥重要作用,提升整体转换效率。此外,在电机驱动领域,包括交流变频器和伺服驱动器,IRG4PF50W凭借其良好的动态响应和过载能力,支持平滑调速和精准控制。它也被广泛用于开关模式电源(SMPS),尤其是大功率通信电源和工业电源模块,工作于有源钳位或移相全桥拓扑结构中,以降低开关应力并提高效率。在电动汽车充电基础设施中,部分车载充电机(OBC)和直流充电桩的辅助电源也会采用此类IGBT进行功率调节。另外,该器件适用于各类工业电源,如电焊机、激光电源和X射线发生器,这些应用通常要求元器件具备高耐压、强抗干扰能力和长期稳定性。得益于其内置快恢复二极管和良好的热管理特性,IRG4PF50W还能简化电路设计,减少元件数量,从而降低系统成本并提升可靠性。因此,无论是消费类、工业类还是新能源领域的中高功率应用,IRG4PF50W都是一种成熟且值得信赖的解决方案。

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