类型：N沟道 IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（BVCES）：600V
　　集电极电流（IC）：47A
　　集电极峰值电流（ICM）：94A
　　栅极-发射极电压（VGES）：±20V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　导通饱和电压（VCE(sat) @ IC=24A, VGE=15V）：1.75V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3300pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：580pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：< 50ns
　　开关时间（ton/toff）：约 60ns / 110ns（典型值）
　　封装类型：TO-220FP

IRG4PC50FD采用了英飞凌独有的TrenchStop?第四代IGBT技术和Field-Stop结构，这种组合显著降低了导通损耗和开关损耗之间的权衡，从而实现了更高的能效。该器件的垂直结构通过优化电场分布，使得在保持高阻断电压的同时大幅减小了芯片厚度，进而降低了载流子复合损失和通态压降。其导通饱和电压VCE(sat)在标准工作条件下仅为1.75V左右，相较于前代产品有明显改善，这有助于减少功率损耗并提升系统热管理效率。此外，该IGBT具备优异的开关速度，上升时间和下降时间均经过优化，在高频PWM控制下仍能维持较低的动态损耗，特别适合用于DC-AC逆变器或DC-DC变换器等需要频繁切换的应用场景。
　　另一个关键特性是其内置的快速恢复二极管（FRD），该二极管与IGBT芯片集成在同一封装内，并针对感性负载续流进行了优化。该二极管具有较短的反向恢复时间（trr < 50ns）和低反向恢复电荷（Qrr），有效减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。同时，该集成设计减少了外部元件数量，简化了PCB布局，节省了空间和成本。IRG4PC50FD还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，在异常工况下表现出较强的鲁棒性。其栅极阈值电压适中（通常在5.5V~7V之间），易于与常见的驱动电路（如光耦隔离驱动器或专用IGBT驱动IC）匹配，确保稳定触发且避免误开通。此外，TO-220FP封装具有较低的热阻（RthJC ≈ 1.0 K/W），支持有效的热量传导至散热器，使其在持续高负载运行时也能维持安全的工作温度。

IRG4PC50FD广泛应用于多种中等功率电力电子系统中，尤其适用于对能效和开关频率要求较高的设备。常见应用包括工业用变频器（VFD），用于调节交流电机的速度和转矩，其高效的开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动的整体效率并降低温升。在不间断电源（UPS）系统中，该器件常被用于逆变级，将直流母线电压转换为稳定的交流输出，其快速响应能力和良好的波形控制性能保证了输出电能的质量。此外，它也广泛用于太阳能光伏逆变器，作为DC-AC转换的核心开关元件，能够高效地将太阳能板产生的直流电转换为并网所需的交流电，满足现代绿色能源系统的高效率需求。
　　在感应加热设备（如电磁炉、金属熔炼装置）中，IRG4PC50FD凭借其优良的高频工作能力和低开关损耗表现突出，可在数十kHz的谐振频率下长期稳定运行。同时，该器件也适用于开关模式电源（SMPS），特别是在大功率服务器电源、电信整流器和焊接电源中，作为主功率开关使用。其内置快速恢复二极管的设计特别适合LLC或移相全桥等谐振拓扑结构，减少了外接续流二极管的需求，提高了系统集成度。此外，电动车辆充电站、电池管理系统（BMS）中的辅助电源模块以及各类工业加热控制系统也是其典型应用场景。得益于其坚固的封装和宽泛的工作温度范围，IRG4PC50FD还能适应恶劣的工业环境，确保长时间可靠运行。

IKW40N60F5, FGA60N60SMD, STGY78CH60DF, IRGB40B60PD-PBF