时间:2025/12/26 18:54:41
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IRG4BC30KD-S是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能高压功率MOSFET,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅场截止(TrenchSTOP?)技术,结合超结(Superjunction)结构,能够在高电压条件下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。IRG4BC30KD-S属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品系列,但其命名方式遵循英飞凌对特定IGBT器件的习惯标识。该器件额定电压为1200V,适用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)、感应加热以及电动汽车充电基础设施等高功率应用场景。器件封装形式为TO-247-3,具备良好的热传导性能和机械稳定性,适合在高温环境下工作。此外,IRG4BC30KD-S集成了快速体二极管,能够有效支持反向电流续流,提升系统效率并减少外部元件需求。得益于其优化的内部结构设计,该器件在硬开关和软开关拓扑中均表现出色,尤其适用于升压变换器、DC-AC逆变器和功率因数校正(PFC)电路。
类型:IGBT
集电极-发射极电压(Vces):1200 V
集电极电流(Ic @ 25°C):8.5 A
集电极电流(Ic @ 100°C):4.3 A
功耗(Pd):160 W
栅极-发射极电压(Vge):±20 V
饱和压降(Vce(sat) @ Ic=8.5A, Vge=15V):2.1 V
开关频率典型值:高达50 kHz
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247-3
IRG4BC30KD-S采用英飞凌领先的TrenchSTOP? 4技术平台,实现了高压阻断能力与低导通损耗之间的最佳平衡。其核心优势在于显著降低的Vce(sat)值,在额定工作条件下仅为2.1V左右,这直接减少了导通期间的能量损耗,提高了整体能效。该器件具有出色的开关特性,包括快速的关断速度和较低的尾电流,从而在高频操作下仍能保持较低的开关损耗。这对于需要高效能量转换的现代电力电子系统至关重要。
该IGBT经过优化设计,具备良好的抗雪崩能力和短路耐受时间(typically 5μs at 150°C),增强了系统的鲁棒性和可靠性。其内置的快速恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和软恢复特性,有助于减少电磁干扰(EMI)并防止电压尖峰对器件造成损害,特别适合用于桥式拓扑中的续流路径。
IRG4BC30KD-S的热阻特性优秀,结到外壳的热阻(Rth(j-c))约为0.625°C/W,便于散热管理,使工程师可以在紧凑的设计中实现更高的功率密度。该器件还表现出优异的dv/dt和di/dt耐受能力,能够在瞬态条件下稳定运行,避免误触发或闩锁效应。
此外,该器件符合RoHS标准,采用无铅焊接兼容设计,适用于自动化生产线的大规模组装。其TO-247-3封装不仅提供了良好的电气隔离性能,还支持多种安装方式,包括绝缘垫片或直接接触散热器,适应不同的热管理需求。总体而言,IRG4BC30KD-S是一款面向中高功率应用的高度集成化、高效率且可靠的IGBT解决方案。
IRG4BC30KD-S广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在工业领域,它常用于交流电机驱动器和伺服控制系统中作为主开关器件,提供高效的能量转换和精确的速度控制。在可再生能源系统中,尤其是在光伏(PV)太阳能逆变器中,该器件被用作DC-AC转换级的核心元件,凭借其高耐压和低损耗特性,能够显著提升逆变效率并延长设备寿命。
该器件也常见于不间断电源(UPS)系统中,特别是在在线式UPS的逆变器部分,确保市电中断时负载能够无缝切换至电池供电,并输出稳定的交流电压。此外,在感应加热设备(如电磁炉、金属熔炼装置)中,IRG4BC30KD-S可用于构建谐振变换器,实现高频大电流输出,提高加热效率。
在电动汽车充电基础设施方面,无论是车载充电机(OBC)还是直流快充桩的辅助电源模块,该IGBT都能胜任PFC(功率因数校正)电路或DC-DC变换环节的任务,帮助满足严格的能效和电网兼容性要求。同时,它也可用于高压电源、焊机电源以及工业电源模块中,适用于需要1200V耐压等级的多种拓扑结构,如全桥、半桥、推挽和ZVS/ZCS软开关电路。
IKW40N120T2, IRGB40B60CPBF, FGA60N1200TD, STGY80N120D}