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IRFZ46NPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:31:58 查看 阅读:8

IRFZ46NPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于 HEXFET 系列。该器件采用 PQFN 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用场合。
  HEXFET 技术优化了器件的性能,使其在功率密度和效率方面表现出色,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,能够显著降低开关损耗。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏电流:38A
  典型导通电阻:9mΩ
  最大栅源电压:±20V
  总功耗:181W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 采用先进的制程工艺,实现超低导通电阻,从而减少传导损耗。
  2. 具有快速开关能力,适合高频应用。
  3. 提供出色的热性能,能够有效提高系统的可靠性。
  4. 内部集成保护二极管,增强抗浪涌能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 封装小巧,便于 PCB 布局设计。
  7. 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 电池管理及保护电路
  5. 工业自动化设备中的负载切换
  6. 太阳能逆变器
  7. 电动汽车和混合动力汽车中的功率转换系统
  8. LED 驱动及调光电路

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IRFZ46NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C53A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 28A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1696pF @ 25V
  • 功率 - 最大107W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ46NPBF