IRFZ46NPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于 HEXFET 系列。该器件采用 PQFN 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用场合。
HEXFET 技术优化了器件的性能,使其在功率密度和效率方面表现出色,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,能够显著降低开关损耗。
最大漏源电压:55V
最大连续漏电流:38A
典型导通电阻:9mΩ
最大栅源电压:±20V
总功耗:181W
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 采用先进的制程工艺,实现超低导通电阻,从而减少传导损耗。
2. 具有快速开关能力,适合高频应用。
3. 提供出色的热性能,能够有效提高系统的可靠性。
4. 内部集成保护二极管,增强抗浪涌能力。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 封装小巧,便于 PCB 布局设计。
7. 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理及保护电路
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车和混合动力汽车中的功率转换系统
8. LED 驱动及调光电路