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IRFZ44SPBF 发布时间 时间:2025/7/2 15:30:31 查看 阅读:5

IRFZ44SPBF是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种开关和功率管理应用。该器件由知名半导体制造商提供,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点。其封装形式为TO-220,适合于需要高效能和散热良好的应用场景。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:12nC
  开关时间:典型值t_on=17ns,t_off=36ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFZ44SPBF采用先进的工艺制造,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
  2. 高额定电流能力,适合大功率负载的应用场景。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗并提高效率。
  4. 仍能保持可靠的运行。
  5. 优异的热稳定性,确保在长时间使用中的安全性。
  6. TO-220封装形式,便于安装和散热设计。
  这些特性使得IRFZ44SPBF成为电机驱动、电源转换、DC-DC转换器以及其他高功率密度应用的理想选择。

应用

IRFZ44SPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 逆变器和UPS系统
  7. 各类电子负载控制模块
  由于其卓越的电气特性和可靠性,该器件特别适合对效率和功率密度要求较高的场合。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48N

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IRFZ44SPBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 31A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)