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IRFZ24NPBF 发布时间 时间:2024/6/26 16:40:56 查看 阅读:238

IRFZ24NPBF是一种高性能N沟道功率MOSFET晶体管。它采用了先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和高速开关特性。IRFZ24NPBF可以在高频率和高电压下工作,具有优异的稳定性和可靠性。
  IRFZ24NPBF的操作理论是基于MOS管的工作原理,即利用控制栅极上的电场来控制漏极电流。当控制栅极上施加正电压时,电场会吸引电子,形成导电通道,从而使漏极电流增大。反之,当控制栅极上施加负电压时,导电通道会被阻断,漏极电流则减小或者变为零。

基本结构

IRFZ24NPBF的基本结构包括栅极、漏极、源极和衬底。栅极是由金属材料制成,用于控制导电通道的形成和阻断。漏极和源极则是由n型材料制成,其中漏极接收电流,源极则提供电流。衬底是由p型材料制成,作为漏极和源极之间的隔离层。

参数

最大漏极电压:55V
  最大漏极电流:17A
  典型导通电阻:17.5mΩ
  典型关断电阻:4.0Ω
  最大功率:94W

特点

1、高性能:IRFZ24NPBF采用了先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和高速开关特性,可以在高频率和高电压下工作,具有优异的稳定性和可靠性。
  2、低电阻:IRFZ24NPBF的典型导通电阻为17.5mΩ,能够在低功率损耗下实现高效率的电源控制。
  3、高可靠性:IRFZ24NPBF采用了先进的工艺和材料,具有优异的可靠性和长寿命,能够在各种恶劣环境下工作。
  4、大功率:IRFZ24NPBF的最大功率为94W,可以满足高功率应用的需求。

工作原理

IRFZ24NPBF是一种N沟道MOSFET晶体管,具有三个极:栅极、漏极和源极。当栅极施加正电压时,会形成电场,使得源极和漏极之间的通道导通。当栅极施加负电压时,电场消失,通道断开,晶体管关断。IRFZ24NPBF的导通电阻非常低,因此在导通状态下,可以实现高效率的电源控制。

应用

IRFZ24NPBF广泛应用于各种高功率电子设备中,如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明、电动工具等。IRFZ24NPBF具有优异的性能和可靠性,能够满足各种高功率应用的需求。

如何使用

在使用IRFZ24NPBF时,需要注意以下几点:
  1、正确连接极性:IRFZ24NPBF具有三个极:栅极、漏极和源极。在连接时,需要确保每个极的连接正确,否则会影响晶体管的工作。
  2、控制电压:IRFZ24NPBF的导通电阻非常低,因此需要控制栅极的电压,以避免过电压损坏晶体管。
  3、散热:IRFZ24NPBF在高功率工作时会产生大量热量,需要正确安装散热器,以保证晶体管的正常工作。
  4、保护电路:在设计电路时,需要考虑电路保护的问题,以避免过电压、过电流等情况对晶体管造成损坏。

安装要点

在使用IRFZ24NPBF进行开发时,需要注意以下几个安装要点:
  1、确认极性:IRFZ24NPBF有漏极、源极和栅极三个引脚,需要确认极性,避免装反。
  2、散热:IRFZ24NPBF在工作时会发热,需要进行散热,避免过热损坏。
  3、驱动电路:IRFZ24NPBF需要驱动电路进行控制,需要注意驱动电路的设计和连接。
  4、PCB设计:IRFZ24NPBF的PCB设计需要考虑走线和布局等因素,避免电磁干扰和阻抗匹配等问题。

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IRFZ24NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds370pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ24NPBF