时间：2025/12/24 12:27:43
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IRFZ14SPBF 是一款N沟道功率MOSFET，由Vishay公司生产。该器件采用TO-263（D2PAK）封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等电路中。
其主要特点在于低导通电阻（Rds(on)），能够在高频条件下实现高效的功率转换，同时具有较高的漏源电压和持续电流能力，适合各种高功率应用。
最大漏源电压(Vds)：55V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高效率。
2. 高漏源击穿电压（55V），确保在高电压应用中的可靠性能。
3. 大电流处理能力（48A），适用于大功率应用环境。
4. 超小型表面贴装封装，便于自动化装配，并节省PCB空间。
5. 工作温度范围宽广（-55℃到+175℃），适合恶劣环境下的应用。
6. 优异的热稳定性，有助于提升整体系统可靠性。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机控制与驱动，用于工业自动化和消费类电子设备。
3. 各种负载开关应用，包括服务器、通信设备和汽车电子。
4. 电池管理及保护系统，例如电动车电池管理系统。
5. 音频放大器中的输出级开关元件。
6. LED驱动器，提供高效能的电流调节功能。
IRFZ14G
IRFZ14PbF
IXYS公司的IXTH40N5L2
Fairchild（现为ON Semiconductor）的FDP065N06L
Infineon的IPA60R120PFD
Vishay的SiHF14DN
